[实用新型]一种碳化硅晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202020309250.4 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN211771662U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 刘欣宇;袁振洲 申请(专利权)人: 江苏超芯星半导体有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B29/36
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 潘云峰
地址: 225000 江苏省扬州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 晶体生长 装置
【权利要求书】:

1.一种碳化硅晶体生长装置,其特征在于,包括:

底板;

外套筒,所述外套筒设置于所述底板上端;

内套筒,所述内套筒设置于所述底板上端,所述内套筒还设置于所述外套筒内部;

上盖,所述上盖设置于所述外套筒与所述内套筒上端,所述上盖与所述底板配合使得所述外套筒与所述内套筒之间形成密封的腔室一、使得所述内套筒的内部形成密封的腔室二;

电感线圈,所述电感线圈环绕所述内套筒并设置于所述腔室一中;

抽真空装置,所述抽真空装置与所述腔室一及所述腔室二连通。

2.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述外套筒、内套筒与所述上盖固定连接,所述外套筒、内套筒可开启式密封设置于所述底板上端。

3.根据权利要求2所述的生长装置,其特征在于,所述电感线圈固定安装于所述内套筒的外壁或者所述外套筒的内壁。

4.根据权利要求3所述的生长装置,其特征在于,它还包括驱动装置,所述驱动装置用于 驱动所述上盖、外套筒、内套筒、电感线圈形成的整体沿竖向运动。

5.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述抽真空装置用于将所述腔室一与腔室二的真空度分开独立控制。

6.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述上盖设置有用于观察所述腔室二的观察窗一,所述底板设置有用于观察所述腔室二的观察窗二。

7.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述上盖设置有与所述腔室二连通的进气管。

8.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述底板设置有与所述腔室二连通的出气管。

9.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述外套筒为不锈钢套,所述内套筒为石英管。

10.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,它还包括底座,所述底座安装于所述底板下端。

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