[实用新型]一种碳化硅晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置。该种碳化硅晶体生长装置包括：底板；外套筒，外套筒设置于底板上端；内套筒，内套筒设置于底板上端，内套筒还设置于外套筒内部；上盖，上盖设置于外套筒与内套筒上端，上盖与底板配合使得外套筒与内套筒之间形成密封的腔室一、使得内套筒的内部形成密封的腔室二；电感线圈，电感线圈环绕内套筒并设置于腔室一中，抽真空装置，抽真空装置与腔室一及腔室二连通。通过内套筒与外套筒形成双层密封结构，提高了腔室二中环境的稳定性，更有利于晶体的生长，并且通过抽真空装置能够进一步将腔室二泄漏致腔室一中的气体排出，减少了气体对环境的影响。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，特别涉及碳化硅晶体生长装置。

背景技术

碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物，目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，与传统硅材料相比，具有临界击穿电场强度高、热导率高、饱和电子漂移速度高、抗辐照和化学稳定性好，特别适合制备高温、高压、高频等电力电子器件。

目前碳化硅晶体生长通常采用在石英管外置电感线圈的方式，使得放置于石英管内的石墨坩埚在涡流的作用下升温，从而加热石墨坩埚内的碳化硅原料，而碳化硅籽晶以距离料面一定距离固定在石墨坩埚的上盖内部，从而碳化硅原料处于高温受区，碳化硅籽晶处于低温区，即高温区的碳化硅原料分解升华并在低温区的碳化硅籽晶面上形核成晶，生成碳化硅晶体。

上述方案中，碳化硅晶体的生长炉受环境变化影响较大，并且碳化硅晶体生产过程中生长炉腔体密封性及线圈加热稳定性差。

实用新型内容

本申请通过提供一种碳化硅晶体生长装置，以提高生长装置工作时的稳定性，降低碳化硅晶体生长过程中对外界环境的影响。

本申请实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，包括：底板；外套筒，所述外套筒设置于所述底板上端；内套筒，所述内套筒设置于所述底板上端，所述内套筒还设置于所述外套筒内部；上盖，所述上盖设置于所述外套筒与所述内套筒上端，所述上盖与所述底板配合使得所述外套筒与所述内套筒之间形成密封的腔室一、使得所述内套筒的内部形成密封的腔室二；电感线圈，所述电感线圈环绕所述内套筒并设置于所述腔室一中；抽真空装置，所述抽真空装置与所述腔室一及所述腔室二连通。

通过内套筒与外套筒形成双层密封结构，提高了腔室二中环境的稳定性，更有利于晶体的生长，并且通过抽真空装置能够进一步将腔室二泄漏致腔室一中的气体排出，减少了气体对环境的影响。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进：

进一步地：所述外套筒、内套筒与所述上盖固定连接，所述外套筒、内套筒可开启式密封设置于所述底板上端。

进一步地：所述电感线圈固定安装于所述内套筒的外壁或者所述外套筒的内壁。

进一步地：它还包括驱动装置，所述驱动装置用驱动所述上盖、外套筒、内套筒、电感线圈形成的整体沿竖向运动。本步的有益效果：通过驱动装置实现了上盖、外套筒、内套筒、电感线圈形成的整体的上移，即实现了开炉，便于操作人员进行装炉与出炉作业。

进一步地：所述抽真空装置用于将所述腔室一与腔室二的真空度分开独立控制。本步的有益效果：通过抽真空装置控制腔室一、腔室二的真空度，便于将腔室二与外界隔离，不仅提高了腔室二的密封性，也提高了腔室二中环境的稳定性。

进一步地：所述上盖设置有用于观察所述腔室二的观察窗一，所述底板设置有用于观察所述腔室二的观察窗二。本步的有益效果：通过观察窗一、观察窗二便于观察腔室二内部情况。

进一步地：所述上盖设置有与所述腔室二连通的进气管。

进一步地：所述底板设置有与所述腔室二连通的出气管。