[实用新型]排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备有效
申请号: | 202020396540.7 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN211350596U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 杨军成 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D46/24;B01D46/42 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气 回路 半导体设备 硅深孔 刻蚀 设备 | ||
1.一种排气回路,其特征在于,包括真空泵、前级管路、后级管路和过滤器;所述前级管路分别连接一腔室和所述真空泵的进口;所述后级管路分别连接所述真空泵的出口和一废气处理装置;所述过滤器设置在所述前级管路上,以过滤半导体制程反应生成物。
2.根据权利要求1所述的排气回路,其特征在于,所述过滤器包括外筒和过滤结构;所述过滤结构具有过滤孔;所述外筒具有进口和出口,所述外筒的进口与所述前级管路的一个连接口连接,所述外筒的出口与所述前级管路的另一个连接口连接;所述外筒还具有一开口,所述过滤结构用于自所述开口装入所述外筒并与所述外筒可拆卸地连接。
3.根据权利要求2所述的排气回路,其特征在于,所述开口位于所述外筒的顶部,所述外筒的进口和出口位于所述外筒的侧壁。
4.根据权利要求2所述的排气回路,其特征在于,所述过滤结构为内筒。
5.根据权利要求4所述的排气回路,其特征在于,所述过滤器还包括设置在外部的连接板,所述连接板与所述内筒的一端连接并通过螺丝与所述外筒可拆卸地连接。
6.根据权利要求5所述的排气回路,其特征在于,所述连接板为水冷板。
7.根据权利要求6所述的排气回路,其特征在于,所述水冷板具有进水口和出水口,其中,所述水冷板和/或所述内筒具有流道,所述流道、进水口和出水口形成冷却回路。
8.根据权利要求5所述的排气回路,其特征在于,所述连接板与所述内筒为一体成型结构。
9.根据权利要求4-8中任一项所述的排气回路,其特征在于,所述内筒为蜂窝状结构。
10.根据权利要求2所述的排气回路,其特征在于,所述过滤结构为多层过滤板。
11.根据权利要求2所述的排气回路,其特征在于,所述前级管路的两个所述连接口分别与所述外筒的进口和出口可拆卸地连接。
12.根据权利要求1所述的排气回路,其特征在于,所述排气回路还包括用于制冷所述过滤器的冷却器,所述冷却器设置在所述过滤器上。
13.根据权利要求1所述的排气回路,其特征在于,所述排气回路还包括设置在所述真空泵和所述过滤器之间的阀门。
14.根据权利要求13所述的排气回路,其特征在于,所述排气回路还包括用于感测所述排气回路中气体压力的压力检测器;当所述压力检测器所检测的气体压力超过预设值时,所述阀门关闭。
15.一种半导体设备,其特征在于,包括腔室以及如权利要求1-14中任一项所述的排气回路,所述排气回路的前级管路连接所述腔室。
16.一种硅深孔刻蚀设备,其特征在于,包括腔室以及如权利要求1-14中任一项所述的排气回路,所述排气回路的前级管路连接所述腔室。
17.根据权利要求16所述的硅深孔刻蚀设备,其特征在于,所述排气回路的所述真空泵为干式真空泵,且所述排气回路还包括分子泵,所述分子泵通过所述前级管路与所述腔室连接,所述过滤器设置在所述分子泵和所述干式真空泵相交汇的前级管路处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造