[实用新型]排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备

说明书

本实用新型涉及一种排气回路、半导体设备和硅深孔刻蚀设备；所述半导体设备或硅深孔刻蚀设备均包括腔室以及排气回路；所述排气回路包括真空泵、前级管路、后级管路和过滤器；前级管路分别连接腔室和真空泵的进口；后级管路分别连接真空泵的出口和废气处理装置；所述过滤器设置在前级管路上，用于过滤半导体制程反应生成物。这样做，可有效减少反应物在真空泵和管路中的累积，避免真空泵卡死，提高生产效率，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备。

背景技术

随着半导体技术的发展，对硅片进行深孔硅刻蚀(简称TSV：Through SiliconVia)已成为必不可少的重要工艺之一。TSV刻蚀工艺对晶圆进行刻蚀时不可避免地产生一定数量的反应生成物，这些反应生成物会通过前级管路被干式真空泵(dry pump)抽出后通过后级管路排入厂务端的废气处理装置，经废气处理装置处理达到排放标准后排入大气中。

但是，现有的硅深孔刻蚀设备在执行TSV刻蚀工艺时，所生成的反应生成物数量多且粘性大，在将反应生成物排至废气处理装置的过程中，这些反应生成物会发生沉积，粘附在真空泵和管路内壁上，造成干式真空泵卡死以及管路堵塞的问题。为此，经常性地需要停机进行清理或更换，不仅工作量大，人力成本高，而且生产效率低。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备，旨在在前级管路中设置过滤器，使热的制程反应生成物附着于过滤器上，后续只要拆卸过滤器进行清理或更换即可，达到有效过滤机台制程反应生成物的目的，降低真空泵卡死及管路堵塞的风险，由此降低生产成本，提高生产效率。

为实现上述目的，根据本实用新型的第一方面提供一种排气回路，包括真空泵、前级管路、后级管路和过滤器；所述前级管路分别连接一腔室和所述真空泵的进口；所述后级管路分别连接所述真空泵的出口和一废气处理装置；所述过滤器设置在所述前级管路上，以过滤半导体制程反应生成物。

可选地，所述过滤器包括外筒和过滤结构；所述过滤结构具有过滤孔；所述外筒具有进口和出口，所述外筒的进口与所述前级管路的一个连接口连接，所述外筒的出口与所述前级管路的另一个连接口连接；所述外筒还具有一开口，所述过滤结构用于自所述开口装入所述外筒并与所述外筒可拆卸地连接。

可选地，所述开口位于所述外筒的顶部，所述外筒的进口和出口位于所述外筒的侧壁。

可选地，所述过滤结构为内筒。

可选地，所述过滤器还包括设置在外部的连接板，所述连接板与所述内筒的一端连接并通过螺丝与所述外筒可拆卸地连接。

可选地，所述连接板为水冷板。

可选地，所述水冷板具有进水口和出水口，其中，所述水冷板和/或所述内筒具有流道，所述流道、进水口和出水口形成冷却回路。

可选地，所述连接板与所述内筒为一体成型结构。

可选地，所述内筒为蜂窝状结构。

可选地，所述过滤结构为多层过滤板。

可选地，所述前级管路的两个所述连接口分别与所述外筒的进口和出口可拆卸地连接。

可选地，所述排气回路还包括用于制冷所述过滤器的冷却器，所述冷却器设置在所述过滤器上。

可选地，所述排气回路还包括设置在所述真空泵和所述过滤器之间的阀门。

可选地，所述排气回路还包括用于感测所述排气回路中气体压力的压力检测器；当所述压力检测器所检测的气体压力超过预设值时，所述阀门关闭。