[实用新型]一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构

说明书

本实用新型涉及农业覆膜技术领域，具体为一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，包括农田，所述农田的上方堆积有第一垄堆，所述第一垄堆的顶部开设有两个种植用的浅沟，两个所述浅沟的内部均种植有农作物，所述第一垄堆的外表面覆盖有第一地膜。该大垄双行浅沟地膜覆盖结构，通过在第一垄堆上开设浅沟，并在浅沟中直接育种，然后在第一垄堆上直接覆盖第一地膜，第一地膜可以大幅度提高浅沟内部的温度，以及第一垄堆内部的温度，有利于农作物的发芽和生长，在出苗及幼苗生长期增温效果明显，对出全苗及加速发育极为有利，为后期生长发育奠定良好基础，本种植方法，效果相当于育苗移栽，但成本低，可操作性强，易推广，且没有地膜覆盖的白色污染。

技术领域

本实用新型涉及农业覆膜技术领域，具体为一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构。

背景技术

黑龙江省富裕县地处松嫩平原西北部，属中温带大陆性季风气候，四季明显。年平均气温3.0℃；极端最高气温40.7℃；极端最低气温-38.5℃；年平均降水量440.5mm；全年日照时数2787.1h，无霜期120-135天，作物无霜期短。与其它地区相比，光能资源丰富，热量资源不足，热量匮乏，制约光能资源优势的发挥，补充热量可以大幅度提高我区的气候生产力。

请参阅图2，图2为现有的裸地种植和正常覆盖种植两种方法，裸地种植方法只需要在农田1的上方堆积第二垄堆6即可，在第二垄堆6的上方直接种农作物4，正常覆盖种植方法在农田1的上方堆积第三垄堆7，然后在第三垄堆7的顶部种植农作物4，并在第三垄堆7的外表面覆盖第二地膜8。

裸地种植方法需要再别处进行育苗，然后把幼苗移栽到第二垄堆6上，这种方式虽然保证了农作物4的正常的生长需要，但是工序繁琐，费时费力，在移栽的过程中也存在成活率低下的风险，并且成本较高，推广受到制约；而正常覆盖的种植方法能保证种子在第三垄堆7内发芽所需要的温度和热量，有利于幼苗的正常生长，但是，幼苗生长后，第二地膜8会留在农田1中，造成白色污染，不符合环保的理念，不值得推广。

为了解决现有的两种种植方法的弊端，本实用新型设计了一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，通过在第一垄堆上开设浅沟，并在浅沟中直接育种，然后在第一垄堆上直接覆盖第一地膜，解决了上述背景技术中提出的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，包括农田，所述农田的上方堆积有第一垄堆，所述第一垄堆的顶部开设有两个种植用的浅沟，两个所述浅沟的内部均种植有农作物，所述第一垄堆的外表面覆盖有第一地膜。

可选的，所述第一垄堆的纵切面为等腰梯形，且所述第一垄堆纵切面底部的两角的度数范围为六十度至七十度之间。

可选的，所述浅沟的纵切面为等腰梯形，且所述浅沟纵切面顶部两角的度数范围为六十度至七十度之间。

可选的，所述浅沟的深度为十厘米。

可选的，所述第一地膜的厚度为0.008mm，所述第一地膜的宽为130cm。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种大垄双行浅沟地膜覆盖结构，具备以下有益效果：

该大垄双行浅沟地膜覆盖结构，通过在第一垄堆上开设浅沟，并在浅沟中直接育种，然后在第一垄堆上直接覆盖第一地膜，第一地膜可以大幅度提高浅沟内部的温度，以及第一垄堆内部的温度，有利于农作物的发芽和生长，在出苗及幼苗生长期增温效果明显，对出全苗及加速发育极为有利，为后期生长发育奠定良好基础，本种植方法，效果相当于育苗移栽，但成本低，可操作性强，易推广，且没有地膜覆盖的白色污染。

附图说明