[实用新型]一种电子设备及其供电电路有效
申请号: | 202020430175.7 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN212112264U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 计晓峰 | 申请(专利权)人: | 上海闻泰信息技术有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;潘登 |
地址: | 200000 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子设备 及其 供电 电路 | ||
1.一种电子设备的供电电路,所述电子设备包括至少一个Type C接口,所述Type C接口用于电连接电源适配器,其特征在于,包括:路径选择模块、PD控制芯片、控制器以及与至少一个所述Type C接口一一对应的至少一个Type C开关芯片;
所述PD控制芯片分别与所述Type C接口、所述Type C开关芯片的控制端以及所述控制器的总线接口电连接;所述PD控制芯片通过所述Type C接口接收所述电源适配器的供电信息,并将所述供电信息输出至所述控制器,以及向所述Type C开关芯片提供开关控制信号,控制所述Type C开关芯片的输入端与输出端导通;
所述Type C开关芯片的输入端与对应的所述Type C接口电连接,所述Type C开关芯片的输出端与所述路径选择模块的输入端电连接;所述路径选择模块的输出端输出供电电源;
所述路径选择模块包括第一开关单元、第二开关单元以及升压单元;所述第一开关单元的输入端和所述第二开关单元的输入端为所述路径选择模块的输入端;所述第一开关单元的输出端与所述升压单元的输入端电连接;所述升压单元的输出端和所述第二开关单元的输出端为所述路径选择模块的输出端;
所述控制器的输出端分别与所述第一开关单元的控制端和所述第二开关单元的控制端电连接;所述控制器用于根据所述供电信息控制所述第一开关单元或所述第二开关单元导通。
2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述第一开关单元包括第一PMOS晶体管、第一电阻、第二电阻以及第一NMOS晶体管;
所述第一PMOS晶体管的漏极为所述第一开关单元的输入端,所述第一PMOS晶体管的源极为所述第一开关单元的输出端,所述第一NMOS晶体管的栅极为所述第一开关单元的控制端;
所述第一NMOS晶体管的源极接地,所述第一NMOS晶体管的漏极通过所述第二电阻与所述第一PMOS晶体管的栅极电连接;
所述第一电阻电连接于所述第一PMOS晶体管的栅极和源极之间。
3.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述第一开关单元还包括第二PMOS晶体管;
所述第二PMOS晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的源极电连接,所述第二PMOS晶体管的栅极与所述第一PMOS晶体管的栅极电连接,所述第二PMOS晶体管的漏极为所述第一开关单元的输出端。
4.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述第二开关单元包括第三PMOS晶体管、第三电阻、第四电阻以及第二NMOS晶体管;
所述第三PMOS晶体管的漏极为所述第二开关单元的输入端,所述第三PMOS晶体管的源极为所述第二开关单元的输出端,所述第二NMOS晶体管的栅极为所述第二开关单元的控制端;
所述第二NMOS晶体管的源极接地,所述第二NMOS晶体管的漏极通过所述第四电阻与所述第三PMOS晶体管的栅极电连接;
所述第三电阻电连接于所述第三PMOS晶体管的栅极和源极之间。
5.根据权利要求4所述供电电路,其特征在于,所述第二开关单元还包括第四PMOS晶体管;
所述第四PMOS晶体管的源极与所述第三PMOS晶体管的源极电连接,所述第四PMOS晶体管的栅极与所述第三PMOS晶体管的栅极电连接,所述第四PMOS晶体管的漏极为所述第二开关单元的输出端。
6.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述升压单元包括升压芯片、第一电感、第一电容、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻;
所述升压芯片的电源端通过所述第五电阻与所述第一开关单元的输出端电连接;所述升压芯片的使能端通过所述第六电阻与所述第一开关单元的输出端电连接,所述升压芯片的使能端还通过所述第七电阻接地;所述升压芯片的信号反馈端通过所述第八电阻与所述升压芯片的输出端电连接,所述升压芯片的信号反馈端还通过所述第九电阻接地;所述升压芯片的输出端为所述升压单元的输出端;
所述第一电感的第一端与所述第一开关单元的输出端电连接,所述第一电感的第二端与所述升压芯片的输入端电连接,所述第一电感的第二端还通过所述第一电容与所述升压芯片的升压端电连接。
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