[实用新型]一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构有效
| 申请号： | 202020485258.6 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN212103061U | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 包文东;陈吉堃;陈诺夫;惠峰;陆贵兵;普世坤;林作亮;胡文瑞 | 申请（专利权）人： | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;G01J5/00;G01J5/02 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 董昆生 |
| 地址： | 677000 云南省临沧市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 sic 单晶炉 测温 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，其特征在于，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度。
2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，其特征在于，所述盖片由熔点不低于2200℃可透过红外线的耐高温材料制成。
3.根据权利要求2所述的一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，其特征在于，所述可透过红外线的耐高温材料为莫桑石或金刚石。
4.根据权利要求1所述的一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，其特征在于，所述盖片镶嵌于靠近保温层一侧。
5.根据权利要求1所述的一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，其特征在于，所述测温窗的面积小于所述测温孔的面积。
6.根据权利要求5所述的一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，其特征在于，所述测温窗的面积不小于所使用的测温器发出的红外线光斑面积。
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