[实用新型]一种芯片的封装结构有效
申请号: | 202020601224.9 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN211605150U | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 陈栋;成炎炎;胡震;陈锦辉;张国栋 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214434 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种芯片的封装结构,属于半导体封装技术领域。其芯片本体(100)的有源表面和芯片电极(101)的上表面设置有保护层(200),其保护层开口(201)内设置金属凸块(300),芯片本体(100)的背面依次设置有粘附层(601)、种子层(602)及背金块(600),粘附层(601)覆盖芯片本体(100)的背面;种子层(602)的下表面设置背金块(600),包覆层(700)包覆背金块(600)裸露面,并向上延展至粘附层(601)的下表面的四周边缘。本实用新型能够有效地克服晶圆翘曲及碎片、降低划片难度、解决封装成品产生的翘曲及碎裂等问题。
技术领域
本实用新型涉及一种芯片的封装结构,属于半导体芯片封装技术领域。
背景技术
随着半导体产业的发展,对电子产品的性能要求不断提升。对于以MOSFET为代表的电源产品,需要不断降低芯片的厚度、同时增加芯片背面金属(简称背金)的厚度,以此实现电阻的降低、以及产品性能的提升;目前这类产品的芯片厚度最薄达到50微米,同时背金最厚达到50微米;并且随着产品电阻的不断降低的趋势,芯片厚度需要进一步降低、背金厚度需要进一步增加。
现有芯片封装结构如图1所示,芯片上设置有保护层及凸块,芯片背面设置有背金。其封装方法为:在晶圆正面通过光刻形成保护层,通过电镀或化学镀形成凸块,对晶圆背面进行磨片及蒸发沉积金属,然后用切成单颗芯片。
随着芯片厚度的持续降低以及背金厚度的不断增加,现有的封装方法存在以下问题:1,由于晶圆很薄,划片时受到切削力时会产生抖动;加上背金很厚,直接划过厚背金时金属会粘刀及切割拉丝;这容易引起芯片崩裂,导致划片难度很大。2,背金材料中经常含有Cu等容易扩散到芯片内的金属,厚的背金在划片时容易形成拉丝,含Cu的金属丝与芯片接触后会扩散到芯片内部,导致芯片功能失效。封装成品存在以下问题:1,芯片比较薄、背金比较厚,由于芯片和背金的热膨胀系数的差异,芯片会产生翘曲,导致在SMT(表面贴片)时产生虚焊;2,封装成品的机械强度与芯片厚度直接相关,随着芯片厚度的降低,封装成品的强度降低,后续使用时容易出现碎裂,导致可靠性问题。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有封装技术不足,提供一种能够避免背金扩散到芯片内部导致功能失效、解决封装成品产生翘曲及碎裂的芯片的封装结构。
本实用新型的目的是这样实现的:
本实用新型一种芯片的封装结构,其包括具有有源表面的芯片本体,所述芯片本体的有源表面设置有芯片电极,所述芯片本体的有源表面和芯片电极的上表面设置有保护层,所述保护层在芯片电极上方开设保护层开口,所述保护层开口内设置金属凸块,所述金属凸块通过保护层开口与芯片电极连接;
所述芯片本体的背面依次设置有粘附层、种子层及背金块,所述粘附层覆盖芯片本体的背面;
所述种子层的横截面小于芯片本体的横截面和/或粘附层的横截面,并露出粘附层的下表面的四周边缘;
所述种子层的下表面设置背金块,其覆盖面积相等;
还包括包覆层,所述包覆层包覆背金块裸露面,并向上延展至粘附层的下表面的四周边缘。
进一步地,所述金属凸块的金属材质包括但不限于Ti、Cu、Ni、Sn、Au元素。
进一步地,所述背金块的材质包括但不限于TiNiAg、TiNiAgNi、CrCu、CrCuCr,TiCu、TiCuTi、TiCuNi。
有益效果
1、本实用新型通过由芯片、背金块及包封层形成的复合封装体结构,增加了芯片封装结构成品的刚性,克服封装成品翘曲问题,解决了SMT虚焊;以及通过复合封装体结构,提高了芯片封装成品的机械强度,克服了碎片封装成品问题,提升了可靠性;
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