[实用新型]气墙隔离装置和原子层沉积系统有效
申请号: | 202020669719.5 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN212335282U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 李哲峰;张光海 | 申请(专利权)人: | 深圳市原速光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 方昊佳 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 装置 原子 沉积 系统 | ||
本实用新型公开一种气墙隔离装置和原子层沉积系统,其中,气墙隔离装置包括箱体,所述箱体内形成有送料通道,所述箱体开设有连通所述送料通道的进料口和出料口,所述进料口和所述出料口分别设于所述箱体的两侧;所述箱体还开设有连通所述送料通道的两第一进气口,两所述第一进气口分别设于所述箱体的顶部和底部;两进气组件,两所述进气组件分别设于所述箱体的上方和所述箱体的下方,且所述进气组件具有出气端,所述出气端与所述第一进气口连通,用于给所述送料通道内充入气体;加热组件,所述加热组件设于所述箱体的外表面,用于对所述箱体进行加热。本实用新型旨在隔离各反应腔之间的气体窜流,以提高原子层沉积反应的精确度。
技术领域
本实用新型涉及原子层沉积技术领域,特别涉及一种气墙装置和原子层沉积系统。
背景技术
原子层沉积(Atomic layer deposition,简称ALD)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面形成沉积膜的方法。当单原子膜达到沉积基体表面,它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。通常在原子层沉积反应过程中,会设置多个反应腔,各反应腔内的反应物质各不相同,所以应确保各反应腔之间互不干涉,而实际操作过程中多个腔室之间容易出现气体窜流,影响原子层沉积反应的精确度。
上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种气墙隔离装置,旨在隔离各反应腔之间的气体窜流,以提高原子层沉积反应的精确度。
为实现上述目的,本实用新型提出的气墙隔离装置包括:
箱体,所述箱体内形成有送料通道,所述箱体开设有连通所述送料通道的进料口和出料口,所述进料口和所述出料口分别设于所述箱体的两侧;所述箱体还开设有连通所述送料通道的第一进气口,所述第一进气口设于所述箱体的顶部;
两进气组件,两所述进气组件分别设于所述箱体的上方和所述箱体的下方,且所述进气组件具有出气端,所述出气端与所述第一进气口连通,用于给所述送料通道内充入气体;
加热组件,所述加热组件设于所述箱体的外表面,用于对所述箱体进行加热。
可选地,所述箱体包括上罩壳和下罩壳,所述上罩壳位于所述送料通道的上方,所述下罩壳位于所述送料通道的下方,所述第一进气口设于所述上罩壳,所述进气组件设于所述上罩壳的外表面。
可选地,所述箱体还包括第一侧板和第二侧板,所述第一侧板和所述第二侧板分别设于所述箱体的两侧,且所述上罩壳、所述下罩壳、所述第一侧板及所述第二侧板围合形成所述送料通道,所述进料口设于所述第一侧板,所述出料口设于所述第二侧板。
可选地,所述气墙隔离装置包括第一抽气组件,所述第一抽气组件设于所述第一侧板,并与所述进料口连通设置,用于抽离所述送料通道内的气体。
可选地,所述第一抽气组件包括抽气管和抽气泵,所述抽气管的一端连通于所述进料口,另一端与所述抽气泵连通。
可选地,所述气墙隔离装置还包括第二抽气组件,所述第二抽气组件设于第二侧板,并与所述出料口连通,所述第一抽气组件与所述第二抽气组件相对设置,用于抽离所述送料通道内的气体。
可选地,所述第一抽气组件设有多个,多个所述第一抽气组件沿所述第一侧板长度方向间隔设置,且均与所述第一进气口连通,所述第二抽气组件设有多个,多个所述第二抽气组件沿所述第二侧板长度方向间隔设置,且均与所述出料口连通。
可选地,所述进气组件包括进气管、进气泵和扩散罩,所述扩散罩凸设于所述上罩壳的外表面,并罩盖于所述第一进气口,所述进气管一端连通于所述扩散罩,另一端连通于所述进气泵。
可选地,所述扩散罩开设有第二进气口,所述进气管的背离所述进气泵的一端通过所述第二进气口与所述扩散罩连通;
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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