[实用新型]高选择性阵列MOS传感器

权利要求书

1.一种阵列MOS传感器，其特征在于，包括：

基底；

多个敏感单元，形成于所述基底上，所述多个敏感单元形成阵列结构；

加热器，形成于所述基底上，所述敏感单元外围；

电极层，形成于所述基底上，所述电极层与敏感单元和加热器电连接；

其中，所述电极层包括多个引出端，用于监测不同敏感单元组合的端点电位。

2.如权利要求1所述的阵列MOS传感器，其特征在于，其中，所述多个引出端的其中一个引出端用于接地，另外一个引出端用于连接可调节电位，剩余其他引出端为电位探测端。

3.如权利要求1或2所述的阵列MOS传感器，其特征在于，所述阵列MOS传感器包括：

三个矩形敏感单元，三个矩形敏感单元形成矩形阵列结构；

四个引出端，分别位于矩形阵列结构的四个端部，四个引出端分别定义为第一引出端、第二引出端、第三引出端和第四引出端；其中，第一引出端用于接地；第四引出端用于连接可调节电位；第二引出端和第三引出端分别为电位探测端；

两个加热器，分别对称形成于所述敏感单元外围。

4.如权利要求1所述的阵列MOS传感器，其特征在于，其中，所述电极层包括平行板电极结构或者叉指电极结构；

所述电极层的材料包括Au/Cr，所述电极层的厚度包括100～300nm。

5.如权利要求4所述的阵列MOS传感器，其特征在于，所述电极层的厚度为200nm。

6.如权利要求1所述的阵列MOS传感器，其特征在于，

所述多个敏感单元的敏感材料均相同、均不同或者其中部分相同；

所述敏感材料为纳米尺寸颗粒。

7.如权利要求1所述的阵列MOS传感器，其特征在于，所述加热器的材料包括Pt/Cr，所述加热器的厚度包括100～300nm。

8.如权利要求7所述的阵列MOS传感器，其特征在于，所述加热器的厚度为120nm。

9.如权利要求1所述的阵列MOS传感器，其特征在于，所述基底由下到上包括硅衬底和氮化硅层；

所述硅衬底背部形成背腔，所述背腔对应所述敏感单元的敏感区域位置，所述背腔对应位置的基底形成支撑梁。

10.如权利要求9所述的阵列MOS传感器，其特征在于，所述支撑梁的厚度包括5～10微米；

所述氮化硅层的厚度包括0.2～1微米。