[实用新型]增加真空吸附力的顶针帽有效
申请号: | 202020741022.4 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN211555847U | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 曾志铭;陈成;罗龙梅 | 申请(专利权)人: | 吉安市木林森照明器件有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 44327 | 代理人: | 杨连华 |
地址: | 343000 江西省吉安*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 增加 真空 吸附力 顶针 | ||
本申请提供一种增加真空吸附力的顶针帽,涉及LED芯片封装技术领域,在传统顶针帽利用真空吸附通孔吸附芯片蓝膜的基础上,在顶针帽主体的上端面开设吸附凹槽,同时在吸附凹槽的槽底设置若干个真空吸附槽孔,通过吸附凹槽增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积,透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合,使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固,防止芯片打花以及漏抓异常。
技术领域
本申请涉及LED芯片封装技术领域,具体涉及一种增加真空吸附力的顶针帽。
背景技术
芯片装片过程中,需要将芯片和蓝膜分离,顶针帽吸附放置有芯片的芯片蓝膜,通过在顶针帽的帽体内部中心设置顶针,顶针将需要吸取的芯片顶出一定距离,以便于芯片被吸取,从而使芯片与蓝膜分离。
图1为传统固晶机使用的顶针帽,顶针帽上端面设有顶针孔11,利用顶针孔11周围的真空吸附通孔12吸附芯片蓝膜,但由于真空吸附通孔12较小且吸附面积有限,导致顶针帽对蓝膜吸附力差,从而出现芯片打花/漏抓异常,影响到芯片的正常吸取,同时也影响装片后的位置精度。
实用新型内容
本申请为了解决现有顶针帽吸附芯片蓝膜吸附力差的技术问题,提供一种增加真空吸附力的顶针帽。
本申请采用以下技术方案:
增加真空吸附力的顶针帽,包括顶针帽主体,所述顶针帽主体的上端面开设有顶针孔和真空吸附通孔,所述顶针帽主体的上端面还开设有吸附凹槽,所述吸附凹槽的槽底设有若干个真空吸附槽孔。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述吸附凹槽包括围绕所述真空吸附通孔设置的外环槽。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述外环槽的槽底设置有多个所述真空吸附槽孔,多个所述真空吸附槽孔沿所述外环槽的延伸方向等间距分布。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述真空吸附槽孔数量为8个,且其孔径为0.4-0.6mm。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述顶针孔数量为1个且设置在所述顶针帽主体上端面中心位置,所述真空吸附通孔数量为12个并等间距围绕所述顶针孔设置。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述外环槽内设有若干个支撑块,所述支撑块的上端面与所述顶针帽主体的上端面平齐。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述支撑块的上端面开设有真空吸附贯孔。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述外环槽上设有多个所述支撑块,所述支撑块连接所述外环槽的两侧槽壁,且多个所述支撑块将所述外环槽分隔成多个相互独立的弧形槽,各个所述弧形槽的槽底均设有所述真空吸附槽孔。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述吸附凹槽还包括开设于所述顶针孔和所述真空吸附通孔之间的内环槽,且所述外环槽和所述内环槽之间连通。
如上所述的增加真空吸附力的顶针帽,所述外环槽和所述内环槽之间的连通区域和所述内环槽的槽底均设置有所述真空吸附槽孔。
与现有技术相比,本申请的有益效果如下:
1、本申请的增加真空吸附力的顶针帽,在传统顶针帽利用真空吸附通孔吸附芯片蓝膜的基础上,在顶针帽主体的上端面开设吸附凹槽,同时在吸附凹槽的槽底设置若干个真空吸附槽孔,通过吸附凹槽增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积,透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合,使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固,防止芯片打花以及漏抓异常。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉安市木林森照明器件有限公司,未经吉安市木林森照明器件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020741022.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种信息工程用的电子通信装置
- 下一篇:一种便于组装的计算机机壳
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造