[实用新型]大功率GaN器件散热与集成一体化结构

权利要求书

1.一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：包括

TSV转接板，所述TSV转接板的上、下表面分别设有金属布线层，上表面设有导流结构，体内设有分别沿厚度方向延伸的互连结构、输入微流道和输出微流道，所述输入微流道分别于所述TSV转接板的上、下表面设有第一出口和第一入口，所述输出微流道分别于所述TSV转接板的上、下表面设有第二入口和第二出口，且所述第一入口和第二出口分别位于所述第一出口和第二入口的外侧；

GaN器件，设于所述TSV转接板之上，所述GaN器件的衬底背面设有第一开放微流道，所述第一开放微流道水平方向的两侧分别通过所述导流结构与所述第一出口和第二入口导通；

壳体，所述壳体设有流道，所述流道包括设于所述壳体的底部上表面的第三入口和第三出口，所述TSV转接板装配于所述壳体内且所述第三入口与所述第一入口导通，所述第三出口与所述第二出口导通；

电路板，设于所述壳体的侧壁顶部并与所述TSV转接板电气连接。

2.根据权利要求1所述的大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：所述第一开放微流道的底面距离器件有源层的距离为100微米以下，所述第一开放微流道的特征尺寸为10-100微米。

3.根据权利要求1所述的大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：所述第一开放微流道是平行槽型、扰流柱型或翅片型。

4.根据权利要求1所述的大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：所述输入微流道和输出微流道的口径由所述TSV转接板的上表面至下表面方向阶梯式渐次扩大，且于阶梯变化处向外侧偏移。

5.根据权利要求1所述的大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：所述互连结构包括设于所述GaN器件装配区域之外的CPW、微带线或TSV互连的传输线形式的互连线，且所述互连线与所述TSV转接板的基底之间设有一保型连续的绝缘层。

6.根据权利要求1所述的大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：所述TSV转接板上表面还设有至少一个用于设置其他微电子芯片的区域以及用引线键合或倒装焊的焊盘。

7.根据权利要求1所述的大功率GaN器件散热与集成一体化结构，其特征在于：所述TSV转接板上表面还设有与所述第一开放微流道对应的第二开放微流道。