[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 202020952391.8 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN212659525U | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 川口义广;山胁阳平;中野征二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具备:
主轴,其使基板旋转;以及
气体轴承,其隔着气体层将所述主轴支承成旋转自由,
在所述主轴的内部形成有多个供气体流动的旋转流路,在所述气体轴承的内部形成有多个供气体流动的固定流路,
多个所述固定流路隔着所述气体层与不同的所述旋转流路相对。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具备:
卡盘,其吸附所述基板;以及
旋转体,其吸附所述卡盘,
所述卡盘隔着所述旋转体安装于所述主轴,
一个所述固定流路和一个所述旋转流路形成向所述卡盘的吸附面供给负压的第1负压供给管线,
另一个所述固定流路和另一个所述旋转流路形成向所述旋转体的吸附面供给负压的第2负压供给管线。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述旋转体和所述卡盘分别是圆盘状,
所述旋转体的直径比所述卡盘的直径小。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述卡盘的直径大于等于所述基板的直径。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第1负压供给管线的一端设置有抽吸气体的第1气体抽吸器,
在所述第1负压供给管线的所述固定流路与所述第1气体抽吸器之间设置有第1气体供给器,该第1气体供给器经由切换气体的流动方向的第1切换器朝向所述卡盘的吸附面供给气体。
6.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板粘贴于覆盖环状的框架的开口部的带,
该基板处理装置还具备框架吸附体,该框架吸附体在所述卡盘的外侧吸附所述框架并与所述卡盘一起旋转,
又一个所述固定流路和又一个所述旋转流路形成向所述框架吸附体的吸附面供给负压的第3负压供给管线。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板粘贴于覆盖环状的框架的开口部的带,
该基板处理装置具备:
卡盘,其吸附所述基板并与所述主轴一起旋转;以及
框架吸附体,其在所述卡盘的外侧吸附所述框架并与所述卡盘一起旋转,
一个所述固定流路和一个所述旋转流路形成向所述卡盘的吸附面供给负压的负压供给管线,
另一个所述固定流路和另一个所述旋转流路形成向所述框架吸附体的吸附面供给负压的负压供给管线。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述主轴包括:第1旋转轴;第2旋转轴;以及中间轴,其位于所述第1旋转轴与所述第2旋转轴之间,具有比所述第1旋转轴和所述第2旋转轴的直径小的直径,
所述气体轴承形成为筒状,在所述第1旋转轴的轴向一端面、所述第2旋转轴的轴向一端面以及所述中间轴的外周面之间形成所述气体层。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
多个所述固定流路以在所述气体轴承的轴向上隔开间隔的方式在所述气体轴承的内周面开口,
多个所述旋转流路以在所述中间轴的轴向上隔开间隔的方式在所述中间轴的外周面开口,在所述中间轴的周向整体上呈环状开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造