[实用新型]大功率MOSFET器件

说明书

本实用新型公开一种大功率MOSFET器件，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面；所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，尤其涉及一种沟槽型MOSFET器件。

背景技术

沟槽型功率MOS器件，具有使电流在垂直于衬底的方向流动的结构，故称为垂直MOS晶体管，并且常常用于大电流的清况，能够在节省器件面积的同时得到相对平面式功率MOS器件较低的通态电阻，因此具有较低的导通损耗，已经在中低压应用领域全面取代平面式功率MOS器件。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大功率MOSFET器件，该大功率MOSFET器件减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大功率MOSFET器件，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；

一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面，位于重掺杂N型源极区上表面的绝缘介质层开有一通孔，一上金属层位于绝缘介质层上表面和通孔内，从而与重掺杂N型源极区电连接，一下金属层覆盖于重掺杂N型漏极层与N型掺杂外延层相背的表面；

所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱，此第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱各自的下端竖直向下延伸至P型掺杂阱层下方。

2. 上述方案中，所述N型掺杂外延层与P型掺杂阱层的高度比为10：4~6。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型大功率MOSFET器件，其沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱，此第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层，减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。

附图说明

附图1为本实用新型大功率MOSFET器件结构示意图。

以上附图中：1、硅片；2、重掺杂N型漏极层；3、P型掺杂阱层；4、N型掺杂外延层；5、沟槽；6、重掺杂N型源极区；7、绝缘介质层；8、通孔；9、上金属层；10、下金属层；11、第一二氧化硅层；12、第一导电多晶硅柱；13、第二导电多晶硅柱；14、第二二氧化硅层。

具体实施方式