[实用新型]一种基于MTJ器件的神经信号放大器及脑机接口系统有效
| 申请号： | 202021329648.0 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN213125985U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;李茹;姜淋馨 | 申请（专利权）人： | 南京明尼晶磁电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/26 | 分类号： | H03F3/26;H03F3/45;H03F1/26;H03F1/32 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市建*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mtj 器件 神经 信号 放大器 接口 系统 | ||
1.一种基于MTJ器件的神经信号放大器，包括内部运算放大器和放大器反馈回路，其特征在于，所述基于MTJ器件的神经信号放大器包含有两条放大器反馈回路，均由伪电阻RH和电容C2组成，其中一条接在负端输入和输出之间，另一条接在正端输入与地之间。
2.根据权利要求1所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述伪电阻RH由MTJ和MOS管组成，其中，MOS管的栅极与漏极短接，基极和源极短接；
神经信号经过电容C1输入到放大器的负端，参考电压通过另一个电容C1输入到放大器的正端。
3.根据权利要求2所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述伪电阻RH中MTJ采用MEMS工艺直接制作在第四和第五层金属中。
4.根据权利要求3所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述内部运算放大器的输出端为四个PMOS晶体管组成的推挽式共栅共源结构，MTJ作为并联电阻接在放大器的输出端。
5.根据权利要求4所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述推挽式共栅共源结构的输出级的静态电压为0V。
6.根据权利要求5所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述MTJ器件中磁存储单元核心为-Z层膜结构，从上至下依次为：自由层、氧化层、固定层。
7.根据权利要求6所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述自由层和固定层由铁磁材料构成。
8.根据权利要求6所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述自由层和固定层采用CoFeB材料，所述氧化层采用MgO材料。
9.根据权利要求1-8任一项所述的基于MTJ器件的神经信号放大器，其特征在于，所述基于MTJ器件的神经信号放大器不包含另外的滤波器。
10.一种脑机接口系统，其特征在于，所述脑机接口系统包括权利要求1-9任一所述的基于MTJ器件的神经信号放大器、微电极和带通滤波器组成。
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