[实用新型]半导体封装结构

说明书

本申请涉及一种半导体封装结构，所述封装结构包括：基板，及设置于所述基板的第一表面的第一桥臂导电板、第二桥臂导电板，所述基板包括相对的第一表面及第二表面；所述第一桥臂导电板远离所述基板的第一表面设置有第一半导体芯片、第二半导体芯片，所述第一半导体芯片通过第一键合丝与所述第二半导体芯片连接；所述第二桥臂导电板远离所述基板的第一表面设置有第三半导体芯片、第四半导体芯片，所述第三半导体芯片通过第二键合丝与所述第四半导体芯片连接；其中，所述第一键合丝的延伸方向与所述第二键合丝的延伸方向相同，且各所述第一键合丝均与所述第二桥臂导电板连接。本申请提供给了一种能够有效地减小杂散电感的半导体封装结构。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种半导体封装结构。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，在智能电网，高速铁路，航空电源方面也得到了广泛的应用。

IGBT模块正常使用时间，器件的开通和关断的速度非常快。在关断过程中，开关器件的通态电流快速的下降，这时候就会产生较大的电流变化率，与模块中存在的杂散电感共同作用产生电压尖峰，增加器件开关损耗，影响开关速度，甚至造成器件承受过高压出现击穿现象。杂散电感还可能导致振荡，比如由电流突变引起的振荡，这可能导致由于电磁干扰或过压限制而引起的器件使用受限。

杂散电感越大，集射极电压下降速度越快。主回路杂散电感的值越大，IGBT的开通损耗越低，但是杂散电感越大，导致的电压过冲的可能性也会越大，导致器件损坏的可能性也越大。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的技术问题提供一种能够有效地减小杂散电感并提高器件可靠性的半导体封装结构。

为实现上述目的及其他目的，本申请提供了一种半导体封装结构，包括基板、第一桥臂导电板及第二桥臂导电板；

所述基板包括相对的第一表面及第二表面，所述第一桥臂导电板及所述第二桥臂导电板设置于所述基板的第一表面；

所述第一桥臂导电板远离所述基板的第一表面设置有第一半导体芯片、第二半导体芯片，所述第一半导体芯片通过第一键合丝与所述第二半导体芯片连接；

所述第二桥臂导电板远离所述基板的第一表面设置有第三半导体芯片、第四半导体芯片，所述第三半导体芯片通过第二键合丝与所述第四半导体芯片连接；

其中，所述第一键合丝的延伸方向与所述第二键合丝的延伸方向相同，且各所述第一键合丝均与所述第二桥臂导电板连接。

于上述实施例中的半导体封装结构中，通过设置第一半导体芯片通过第一键合丝与第二半导体芯片连接，并设置各所述第一键合丝均与所述第二桥臂导电板连接，使得第二桥臂导电板可以直接用来导流，在减小经由键合丝形成的导电路径的同时，可以有效地增加在第二桥臂导电板上形成的电流路径的横截面积，能有效地减小杂散电感；由于第一键合丝的延伸方向与第二键合丝的延伸方向相同，一方面可以减小经由键合丝形成的导电路径的长度，以减小键合丝的寄生电容，从而减小杂散电感；另一方便，便于增设与键合丝中的电流的方向相反的电流路径，以使得两种方向相反的电流路径各自形成的电磁场能够相互抵消，以进一步减小杂散电感并提高器件的可靠性。

在其中一个实施例中，所述第一半导体芯片的数量为多个且成行分布；

所述第二半导体芯片的数量为多个且成行分布；