[实用新型]类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置

说明书

本实用新型提供一种类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，包括光源、纵向同轴设置的相机、远心成像镜头、半透半反射平行平板合像器以及玻璃载物转盘、半导体晶粒，半透半反射平行平板合像器同一水平高度设置有平行平板补偿器及位于半导体晶粒正上方的天面直角转向棱镜，半导体晶粒同一水平高度与半透半反射平行平板合像器正下方设置有侧面直角转向棱镜，该装置在满足双面成像完全等光程共焦的条件下，获得相邻面的空间分离成像，能通过调节平行平板补偿器与光轴的夹角来校正补偿误差，从而可以实现半导体晶粒相邻双面同时完全等光程共焦成像检测，结构简单紧凑，装配调试容易，可靠性佳。

技术领域

本实用新型涉及一种类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置。

背景技术

半导体制冷器件晶粒双面成像检测光路的完全等光程共焦成像是获得双面同时缺陷检测的主要核心技术问题之一。基于不同检测装置与方法，目前半导体晶粒相邻双面同时缺陷成像检测技术研究已有相关专利申请：

如图1所示：实用新型专利申请号202010171706.0X，专利申请名称：半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置与方法，提出的光学检测装置与方法很好地解决了半导体晶粒相邻面“准”共焦成像检测，但是相邻双面成像光路之间仍然存在一个光程差。为了获得相邻面同时共焦成像，需要通过选择足够大景深的远心成像镜头来补偿这个小光程差。因此寻找晶粒相邻面完全等光程共焦成像检测的新途径具有必要性。

如图2所示：实用新型专利申请号为202010191734.8，专利申请名称：基于时间差分辨的晶粒双面同时等光程共焦成像检测的新方法，提出一种基于时间差分辨成像法，使用单组成像系统实现半导体晶粒相邻面完全等光程共焦成像检测的新方法。

如图3所示：专利申请名称：基于双色分离成像法的晶粒双面同时等光程共焦成像检测的装置与方法，实用新型专利申请号为202010203153.1，提出一种基于双色分离成像法的半导体晶粒相邻面同时完全等光程共焦成像检测的新方法。

如图4所示：实用新型专利申请号为202010250856.X，专利申请名称：基于偏振分离成像法的晶粒双面同时完全等光程共焦成像检测的装置与方法，使用偏振分束器，获得偏振方向互相垂直的两束照明光束，分别照明待测半导体晶粒的相邻双面。进一步提出一种基于偏振光分离成像（简称“偏振分像”）的方法，利用偏振相机来实现半导体晶粒相邻面同时完全等光程共焦成像检测的装置与方法。

如图5所示：实用新型专利申请号为202010296134.8，专利名称为使用偏振分像法实现晶粒双面同时等光程共焦检测的装置及方法，提出一种仍然基于偏振光分离成像（简称“偏振分像”）的原理，结合“偏振分像棱镜组件”并使用普通CMOS或CCD相机来实现半导体晶粒相邻面同时完全等光程共焦成像检测的又一新方法。

上述各种检测装置中通常需要通过使用偏振光学元件或偏振CMOS传感器，结构或使用略为复杂、成本较高且同时实现等光程与双面分离成像检测的误差补偿能力不足。

实用新型内容

本实用新型对上述问题进行了改进，即本实用新型要解决的技术问题是目前设计的完全等光程共焦成像检测成本较高，误差补偿能力不足。