[实用新型]一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备

权利要求书

1.一种压差开关，其特征在于，包括：

至少两个压力探测机构，其中一个用于探测第一环境中的压力，另外一个用于探测第二环境中的压力；

压力波动阻尼器，置于至少一个所述压力探测机构中，用于过滤短暂的压力波动。

2.根据权利要求1所述的压差开关，其特征在于，部分的所述压力探测机构中设置所述压力波动阻尼器。

3.根据权利要求1所述的压差开关，其特征在于，全部的压力探测机构中均设置所述压力波动阻尼器。

4.根据权利要求1所述的压差开关，其特征在于，所述压力波动阻尼器为多孔结构的零件。

5.根据权利要求4所述的压差开关，其特征在于，所述多孔结构的零件的孔隙率范围为10％至95％。

6.根据权利要求4所述的压差开关，其特征在于，所述多孔结构的零件的材料包括泡棉或陶瓷中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的压差开关，其特征在于，所述多孔结构零件的长度范围为所述压力探测机构的管径的一倍至填满整个所述压力探测机构。

8.根据权利要求1所述的压差开关，其特征在于，所述压差开关为膜片式的压差开关或不带有过滤波动的压差开关中的一种。

9.一种气体控制箱，其特征在于，包括：

气箱，其包括进气口和出气口，所述出气口与排气管道连接；

如权利要求1至权利要求8任一项所述压差开关，其中一个压力探测机构连接到所述排气管道内，另一个所述压力探测机构放置在外界大气中。

10.根据权利要求9所述的一种气体控制箱，其特征在于，所述排气管道为负压管道。

11.根据权利要求9所述的一种气体控制箱，其特征在于，所述排气管道为正压管道。

12.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：

反应腔；

如权利要求9至权利要求11任一项所述气体控制箱；

气体输送管道，其一端与所述气体控制箱连接，另一端与所述反应腔连接，用于向所述反应腔内输送气体。

13.根据权利要求12所述的一种半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备为等离子体刻蚀设备。