[实用新型]一种高插损无源EMI滤波器

权利要求书

1.一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述EMI滤波器采用二阶滤波结构，包括第一阶滤波结构和第二阶滤波结构；所述第二阶滤波结构包括共模电感L2；

所述EMI滤波器接入电网传入的高频、低频交流信号，并输出至后续设备；所述EMI滤波器为对电网传入的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声进行抑制的装置。

2.根据权利要求1所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述共模电感L2包括电感线圈L2a和电感线圈L2b，且电感线圈L2a和电感线圈L2b绕制在同一第二磁芯上，所述电感线圈L2a和电感线圈L2b匝数和相位均相同，且绕制方向相反。

3.根据权利要求2所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述第二磁芯采用镍锌材质制成的磁芯。

4.根据权利要求2或3所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述第二阶滤波结构还包括电容C2、电容C3和电阻R2，所述电容C2、共模电感L2、电容C3和电阻R2依次连接；

所述电容C2、电容C3和电阻R2均并联于交流电源的火线和零线之间，所述电感线圈L2a与电感线圈L2b分别串联于交流电源的火线和零线上；

所述电容C2的一端连接电感线圈L2a的一端，电感线圈L2a的另一端连接电容C3的一端；所述电容C2的另一端连接电感线圈L2b的一端，电感线圈L2b的另一端电容C3的另一端。

5.根据权利要求1所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述第一阶滤波结构包括共模电感L1，所述共模电感L1采用非晶物质制成的非晶磁芯；

所述共模电感L1包括电感线圈L1a和电感线圈L1b，且电感线圈L1a和电感线圈L1b绕制在同一非晶磁芯上，所述电感线圈L1a和电感线圈L1b匝数和相位均相同，且绕制方向相反。

6.根据权利要求5所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述共模电感L1采用铁、钴、镍和硅、磷、硼材料非晶物质制成的非晶磁芯。

7.根据权利要求5或6所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述第一阶滤波结构还包括电阻R1、电容C1，所述电阻R1、电容C1和共模电感L1依次连接；

所述电阻R1、电容C1均并联于交流电源的火线和零线之间，所述电感线圈L1a与电感线圈L1b分别串联于交流电源的火线和零线上；

所述电容C1的一端连接电感线圈L1a的一端，电感线圈L1a的另一端连接电感L2a的一端；所述电容C1的另一端连接电感线圈L1b的一端，电感线圈L1b的另一端电感L2b的一端。

8.根据权利要求1所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，还包括电容C4、电容C5，所述电容C4与电容C5设于第一阶滤波结构和第二阶滤波结构之间；

所述电容C4与电容C5串联后，并联于交流电源的火线和零线之间；所述电容C4与电容C5的中间点接地。

9.根据权利要求1所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述EMI滤波器适用于CE102和电源线传导发射试验中。

10.根据权利要求9所述的一种高插损无源EMI滤波器，其特征在于，所述EMI滤波器适用于对10kHz～30MHz频率范围内的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声进行抑制。