[实用新型]一种高插损无源EMI滤波器有效
申请号: | 202022283197.8 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN212850432U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 贺先建;梁建;蒋维;郭兴坤;朱建军;闫昊;何小东 | 申请(专利权)人: | 成都天核科技有限公司 |
主分类号: | H03H7/01 | 分类号: | H03H7/01;H03H7/06;H01F17/04;H01F27/24;H01F1/01 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 李朝虎 |
地址: | 610000 四川省成都市双流区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高插损 无源 emi 滤波器 | ||
本实用新型公开了一种高插损无源EMI滤波器,所述EMI滤波器采用二阶滤波结构,包括第一阶滤波结构和第二阶滤波结构;所述第二阶滤波结构包括共模电感L2;所述EMI滤波器接入电网传入的高频、低频交流信号,并输出至后续设备;所述EMI滤波器为对电网传入的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声进行抑制的装置。本实用新型结构简单、合理,选用铁、钴、镍和硅、磷、硼材质非晶作为电感磁芯,非常规的应用组合,相比传统铁氧体磁芯,同等规格下有效增大电感量,具有良好的高、低频交流噪声抑制作用,降低共模干扰和差模干扰;有效提高10kHz和30MHz频率点的插入损耗,满足CE102和电源线传导发射等试验项目。
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,具体涉及电子电力、半导体、医用设备、工业控制、航空航天、通信、兵工、计算机等行业,更具体地涉及一种高插损无源EMI滤波器。
背景技术
工业电子设备使用时长期暴露在复杂环境下,经受各种外界环境的考验,特别是遭受电磁环境的冲击。随着法律法规及行业标准的健全和完善,各国相继制定出电子设备经受电磁兼容考核的规范和标准,如FCC法规、VDE法规、GJB标准等。因此电子设备的电磁兼容试验是一项关键的性能指标,备受业界关注,在产品研发过程中及发布前都需要进行重点设计及考核验证。
电子设备本身产生的噪声主要通过电源线传入电网,噪声叠加到电网中间接影响其他设备。在进行电磁兼容试验时,传导发射作为一项重要的测试项,为了保证尽可能的滤除传导发射干扰,常在电源线前端增加滤波器进行滤波处理,如图1所示。
但是,目前市面上针对传导发射的EMI滤波器类型众多,设计时采用的拓扑结构和器件选型、参数各不相同,导致EMI滤波器的功能性能和应用场景存在较大差异。在其帮助电子产品通过电源线传导发射试验时,效果参差不齐。特别是在传导发射试验中,10kHz和30MHz频率点的插入损耗较小,无法满足试验要求,导致试验无法通过。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是在进行CE102和电源线传导发射(频率范围10kHz~30MHz)试验时,搭配现有市场流通的EMI滤波器,无法满足特殊行业电子设备通过CE102和电源线传导发射试验项目;即在传导发射试验中,10kHz和30MHz频率点的插入损耗较小,滤波效果不佳,无法满足试验要求,导致试验无法通过。
本实用新型目的在于提供一种高插损无源EMI滤波器,能有效提高10kHz和30MHz频率点的插入损耗,提升滤波效果,帮助客户通过GJB 151B、MIL-STD-461E、GB 4824等标准中的CE102和电源线传导发射等试验项目。
本实用新型通过下述技术方案实现:
一种高插损无源EMI滤波器,所述EMI滤波器采用二阶滤波结构,包括第一阶滤波结构和第二阶滤波结构;所述第二阶滤波结构包括共模电感L2;
所述EMI滤波器接入电网传入的高频、低频交流信号,并输出至后续设备;所述EMI滤波器为对电网传入的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声进行抑制的装置。
工作原理如下:
在进行CE102和电源线传导发射(频率范围10kHz~30MHz)试验时,搭配现有市场流通的EMI滤波器,无法满足特殊行业电子设备通过CE102和电源线传导发射试验项目;即在传导发射试验中,10kHz和30MHz频率点的插入损耗较小,滤波效果不佳,无法满足试验要求,导致试验无法通过。本实用新型采用上述方案设计的EMI滤波器采用二阶滤波结构设计,且为无源滤波器,可有效的抑制10kHz~30MHz频率范围内由电网传入的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声,消弱线线间的差模噪声和线地间的共模噪声;尤其第二阶滤波结构采用共模电感L2替换现有技术中的差模电感,现有技术中的差模电感磁芯通常选用铁氧体材质制成的磁芯;而本实用新型中可采用镍锌材质制成的共模电感L2,L2采用镍锌材质非常规应用绕制共模电感,其优点既可抑制差模噪声,同时也有较好抑制共模噪声的效果。
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