[实用新型]大电流绝缘栅双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 202022413927.1 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN214254425U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郭家铭;俞仲威;黄国伦;张朝宗 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
1.一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于：包括：位于轻掺杂N型硅片本体（1）上部的P型掺杂阱层（2）、位于轻掺杂N型硅片本体（1）中部的轻掺杂N型漂移层（3）、位于轻掺杂N型硅片本体（1）中下部的轻掺杂N型缓冲层（4）和位于轻掺杂N型硅片本体（1）下部的重掺杂P型集电区层（5）；
位于P型掺杂阱层（2）中且间隔设置的第一沟槽（6）、第二沟槽（7）延伸至轻掺杂N型漂移层（3）内，所述第一沟槽（6）、第二沟槽（7）内分别具有第一栅极部（8）、第二栅极部（9），此第一栅极部（8）、第二栅极部（9）与第一沟槽（6）、第二沟槽（7）之间分别通过第一栅氧化硅层（10）、第二栅氧化硅层（11）隔离；
位于第一沟槽（6）、第二沟槽（7）之间且在P型掺杂阱层（2）上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区（14）、重掺杂N型源极区（15），所述重掺杂P型源极区（14）位于第二沟槽（7）的周边，所述重掺杂N型源极区（15）位于第一沟槽（6）的周边；
所述重掺杂P型集电区层（5）与轻掺杂N型缓冲层（4）相背的表面覆盖有一集电极层（16），一发射极层（17）覆盖于重掺杂P型源极区（14）、重掺杂N型源极区（15）上表面，一第一栅电极层（12）、第二栅电极层（13）分别位于第一栅极部（8）、第二栅极部（9）上表面。
2.根据权利要求1所述的大电流绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于：所述第一栅氧化硅层（10）、第二栅氧化硅层（11）均为氧化硅层。
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