[实用新型]大电流绝缘栅双极型晶体管器件

说明书

本实用新型公开一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，包括：轻掺杂N型缓冲层和位于轻掺杂N型硅片本体下部的重掺杂P型集电区层；位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，所述第一沟槽、第二沟槽内分别具有第一栅极部、第二栅极部；位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边，所述重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；一第一栅电极层、第二栅电极层分别位于第一栅极部、第二栅极部上表面。本实用新型晶体管器件使器件能快速关断，从而降低了晶体管器件的损耗。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管是是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，该大电流绝缘栅双极型晶体管器件使器件能快速关断，从而降低了晶体管器件的损耗。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，包括：位于轻掺杂N型硅片本体上部的P型掺杂阱层、位于轻掺杂N型硅片本体中部的轻掺杂N型漂移层、位于轻掺杂N型硅片本体中下部的轻掺杂N型缓冲层和位于轻掺杂N型硅片本体下部的重掺杂P型集电区层；

位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，所述第一沟槽、第二沟槽内分别具有第一栅极部、第二栅极部，此第一栅极部、第二栅极部与第一沟槽、第二沟槽之间分别通过第一栅氧化硅层、第二栅氧化硅层隔离；

位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边，所述重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；

所述重掺杂P型集电区层与轻掺杂N型缓冲层相背的表面覆盖有一集电极层，一发射极层覆盖于重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区上表面，一第一栅电极层、第二栅电极层分别位于第一栅极部、第二栅极部上表面。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述第一栅氧化硅层、第二栅氧化硅层均为氧化硅层。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型大电流绝缘栅双极型晶体管器件，其位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边，所述重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边，由于存在额外的路径使电子电洞移除，使器件能快速关断，从而降低了晶体管器件的损耗。

附图说明

附图1为本实用新型大电流绝缘栅双极型晶体管器件的结构示意图。

以上附图中：1、轻掺杂N型硅片本体；2、P型掺杂阱层；3、轻掺杂N型漂移层；4、轻掺杂N型缓冲层；5、重掺杂P型集电区层；6、第一沟槽；7、第二沟槽；8、第一栅极部；9、第二栅极部；10、第一栅氧化硅层；11、第二栅氧化硅层；12、第一栅电极层；13、第二栅电极层；14、重掺杂P型源极区；15、重掺杂N型源极区；16、集电极层；17、发射极层。

具体实施方式