[实用新型]一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构有效

专利信息
申请号: 202022467092.8 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN213804062U 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 刘丁;弋英民;张晶;张新雨;黄伟超 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 韩玙
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 级单晶 生长 设备 可分离 式热屏 提升 机构
【权利要求书】:

1.一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构,其特征在于,包括热屏(1),热屏(1)上活动设置有炉盖(2),热屏(1)与炉盖(2)之间设置有热屏提升机构,所述热屏提升机构具体结构为:包括一对平行竖直设置的提升杆(5),提升杆(5)的下端安装有扇形的旋片挂钩(4),提升杆(5)的上端连接有旋转拧手(9),提升杆(5)的上下运动是通过提升电机(11)带动丝杠(10)的旋转,从而驱动与提升杆(5)上部连接的热屏运动支座(8)实现提升和下降的动作,热屏运动支座(8)通过下方安装的波纹管(7)与热屏连接底座法兰(6)连接为一个整体,整个热屏提升机构就是通过热屏连接底座法兰(6)安装固定在炉盖(2)的对应窗口位置。

2.根据权利要求1所述的一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构,其特征在于,每个所述提升杆(5)的下方旋片挂钩(4)与热屏(1)上部的U型纯钼挂耳(3)通过旋转拧手(9)进行手动旋转即可实现提升杆(5)与热屏(1)的连接与分离。

3.根据权利要求2所述的一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构,其特征在于,所述U型纯钼挂耳(3)上开设有U型开槽,U型开槽与所述旋片挂钩(4)相匹配,保证旋片挂钩(4)旋转定位后不会与U型纯钼挂耳(3)意外脱离。

4.根据权利要求2所述的一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构,其特征在于,所述提升杆(5)和热屏运动支座(8)采用双O型圈进行密封,热屏运动支座(8)与波纹管(7)、波纹管(7)与热屏连接底座法兰(6)、以及热屏连接底座法兰(6)与炉盖(2)对应窗口之间均采用O型圈进行密封。

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