[实用新型]一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构

说明书

本实用新型公开了一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构，包括热屏，热屏上活动设置有炉盖，热屏与炉盖之间设置有热屏提升机构，热屏提升机构具体结构为：包括一对平行竖直设置的提升杆，提升杆的下端安装有扇形的旋片挂钩，热屏杆的上端连接有旋转拧手，提升杆的上下运动是通过提升电机带动丝杠的旋转，从而驱动与提升杆上部连接的热屏运动支座实现提升和下降的动作，热屏运动支座通过下方安装的波纹管与热屏连接底座法兰连接为一个整体，整个热屏提升机构就是通过热屏连接底座法兰安装固定在炉盖的对应窗口位置。本实用新型解决了现有技术中存在的高温对热屏提升杆的影响以及热屏提升杆对温度梯度影响的问题。

技术领域

本实用新型属于半导体级单晶生长设备技术领域，具体涉及一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构。

背景技术

单晶生长设备的热系统最上部为热屏部件，它是保证热系统温度梯度的关键部件，随着设备单次拉晶投料量不断增多的需求，硅料在石英坩埚中堆叠的高度已远超石英坩埚的高度，但由此会与热屏产生干涉，所以需要一种能够在熔料前可以提升热屏的机械结构，在熔料完成后再放下热屏部件到工作位置，这样既保证了大投料量的需求，又保证热系统的正确温度梯度的分布。

在热屏放下后，提升杆由于处于高温区，长时间工作会对提升杆的材料和寿命产生影响，因此需要在杆中进行水冷处理，但杆中水冷引起的温度差会对热系统上部的温度梯度产生影响。因此针对这个问题本专利采用了一种可分离的热屏提升机构，即在放下热屏后，提升杆可与热屏脱开分离，再提升提升杆到顶端的低温区，从而避免了高温对提升杆的影响以及提升杆对温度梯度的影响。当需要再次提升热屏时，可降下提升杆，在线连接热屏，即可再次提升。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构，解决了现有技术中存在的高温对热屏提升杆的影响以及热屏提升杆对温度梯度影响的问题。

本实用新型所采用的技术方案是，一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构，包括热屏，热屏上活动设置有炉盖，热屏与炉盖之间设置有热屏提升机构。

本实用新型的特点还在于，

热屏提升机构具体结构为：包括一对平行竖直设置的提升杆，提升杆的下端安装有扇形的旋片挂钩，提升杆的上端连接有旋转拧手，提升杆的上下运动是通过提升电机带动丝杠的旋转，从而驱动与提升杆上部连接的热屏运动支座实现提升和下降的动作，热屏运动支座通过下方安装的波纹管与热屏连接底座法兰连接为一个整体，整个热屏提升机构就是通过热屏连接底座法兰安装固定在炉盖的对应窗口位置。

每个提升杆的下方旋片挂钩与热屏上部的U型纯钼挂耳通过旋转拧手进行手动旋转即可实现提升杆与热屏的连接与分离。

U型纯钼挂耳上开设有U型开槽，U型开槽与所述旋片挂钩相匹配，保证旋片挂钩旋转定位后不会与U型纯钼挂耳意外脱离。

提升杆和热屏运动支座采用双O型圈进行密封，热屏运动支座与波纹管、波纹管与热屏连接底座法兰、以及热屏连接底座法兰与炉盖对应窗口之间均采用O型圈进行密封。

本实用新型的有益效果是，一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构，在熔料结束后放下热屏，此时提升杆可与热屏脱开分离，再提升提升杆到顶端的低温区，从而避免了高温对提升杆的影响以及提升杆对温度梯度的影响。当需要再次提升热屏时，可降下提升杆，在线连接热屏，即可再次提升。

附图说明

图1是一种可分离式的热屏提升机构的直拉式硅单晶生长设备结构示意图；

图2是热屏提升机构放大示意图；

图3是旋片式分离/连接结构示意图。

图中，1.热屏，2.炉盖，3.U型纯钼挂耳，4.旋片挂钩，5.提升杆， 6.热屏连接底座法兰，7.波纹管，8.热屏运动支座，9.旋转拧手，10.提升丝杠，11.提升电机。