[实用新型]SMD石英晶体谐振器抗冲击结构

权利要求书

1.SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；

所述管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，所述第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，所述缓冲晶片的金属化电极区分别与所述下层第一导电胶点和所述下层第二导电胶点连接；

所述缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；所述谐振晶片通过所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点与所述缓冲晶片连接；

所述第一金属引线通过所述下层第一导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第一导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通；

所述第二金属引线通过所述下层第二导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第二导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通。

2.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述缓冲晶片的金属化电极区包括第一金属化电极区和第二金属化电极区，所述第一金属化电极区位于所述第一金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第一导电胶点与所述第一金属化电极区的背面连接；

第二金属化电极区位于所述第二金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第二导电胶点与所述第二金属化电极区的背面连接；

所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区分设于所述缓冲晶片相对的两侧；

所述上层第一导电胶点设于所述第一金属化电极区的上面，所述上层第二导电胶点设于所述第二金属化电极区的上面；

所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点分设于所述缓冲晶片的四角。

3.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述第一金属化电极区的正面和背面所成的区域相同；所述第二金属化电极区的正面和背面所成的区域相同。

4.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区对称分设在所述缓冲晶片的两侧。

5.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区在正面和背面的区域均为长方形，且长度为所在缓冲晶片一侧的长度的一半。

6.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述谐振晶片的金属化电极区包括第三金属化电极区、第四金属化电极区、第五金属化电极区和第六金属化电极区；

所述第三金属化电极区位于所述谐振晶片的正面中心位置，所述第四金属化电极区位于所述谐振晶片对应所述上层第一导电胶点的角部，且所述第四金属化电极区连续铺设在所述缓冲晶片的正面、侧面和背面，所述第三金属化电极区与所述第四金属化电极区的背面相连；

所述第五金属化电极区位于所述谐振晶片对应所述上层第二导电胶点的角部，且所述第五金属化电极区连续铺设在所述缓冲晶片的正面、侧面和背面；

所述第六金属化电极区位于所述缓冲晶片的背面中心位置，且与所述第五金属化电极区的背面相连；

所述上层第一导电胶点与所述第四金属化电极区的背面连接，所述上层第二导电胶点与所述第五金属化电极区的背面连接。

7.如权利要求6所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述第三金属化电极区和所述第六金属化电极区对称设置于所述谐振晶片的正面和背面；所述第四金属化电极区和所述第五金属化电极区对称分设在所述谐振晶片的相邻的两角。

8.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述管壳的底部外表面设有焊盘。

9.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，所述缓冲晶片和所述谐振晶片的定向角度和尺寸大小一致。