[实用新型]集成输入射频开关以及包括其的放大器有效
申请号: | 202023197779.0 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN214125248U | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 董铸祥;彭凤雄;郑金汪;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 | 申请(专利权)人: | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/02;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/213;H03F3/217 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 梁栋国 |
地址: | 100085 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 输入 射频 开关 以及 包括 放大器 | ||
1.一种集成输入射频开关,其特征在于包括:
偏置电路,其被配置为接收偏置信号,以及
驱动级单元,其被配置为接收射频输入信号,并且对射频输入信号进行放大,
所述偏置电路连接到所述驱动级单元,并且根据偏置信号来控制所述驱动级单元的导通和关断。
2.根据权利要求1所述的集成输入射频开关,其特征在于,所述偏置信号为偏置电压或者偏置电流。
3.根据权利要求1所述的集成输入射频开关,其特征在于,所述集成输入射频开关通过CMOS、BJT、HBT工艺中的一种来实现。
4.一种包括如权利要求1所述的集成输入射频开关的放大器,其特征在于包括:
集成输入射频开关,其被配置为接收射频输入信号,以及
放大级偏置电路,其被配置为接收放大级偏置信号,以及
放大级单元,其被配置为从所述的集成输入射频开关接收信号,并且对从所述集成输入射频开关接收的信号进行放大,
所述放大级偏置电路连接到所述放大级单元,并且根据放大级偏置信号来控制所述放大级单元的导通和关断。
5.根据权利要求4所述的放大器,其特征在于,所述放大器包括功率放大器。
6.根据权利要求4所述的放大器,其特征在于,所述放大器包括低噪声放大器。
7.根据权利要求4所述的放大器,其特征在于,所述放大器包括N个集成输入射频开关,其中,N为大于等于2的自然数。
8.根据权利要求4所述的放大器,其特征在于,所述放大器还包括:
输入匹配模块,其被配置为接收射频输入信号,并且将信号提供给所述集成输入射频开关,
级间匹配模块,其被配置为从所述集成输入射频开关接收信号,并且将信号提供给所述放大级单元,以及
输出匹配模块,其被配置为从所述放大级单元接收信号,并且提供信号到射频输出端。
9.根据权利要求5所述的放大器,
其特征在于,所述驱动级单元还包括:
驱动级电感器,所述驱动级电感器的一端与电源连接,并且所述驱动级电感器的另一端与驱动级晶体管的集电极连接;
驱动级晶体管,所述驱动级晶体管的基极与驱动级的所述偏置电路连接以接收信号,所述驱动级晶体管的发射极接地,并且所述驱动级晶体管的集电极与驱动级电感器连接以输出信号,
所述放大级单元还包括:
放大级电感器,所述放大级电感器的一端与电源连接,并且所述放大级电感器的另一端与放大级晶体管的集电极连接;
放大级晶体管,所述放大级晶体管的基极与所述放大级偏置电路连接以接收信号,所述放大级晶体管的发射极接地,并且所述放大级晶体管的集电极与所述放大级电感器连接以输出信号。
10.根据权利要求6所述的放大器,
其特征在于,所述驱动级单元还包括:
驱动级第一电感器,所述驱动级第一电感器的一端与电源连接,并且所述驱动级第一电感器的另一端与驱动级晶体管的源极连接;
驱动级晶体管,所述驱动级晶体管的栅极与驱动级的所述偏置电路连接以接收信号,所述驱动级晶体管的漏极与驱动级第二电感器连接,并且所述驱动级晶体管的源极与所述驱动级第一电感器连接以输出信号;
驱动级第二电感器,所述驱动级第二电感器的一端与所述驱动级晶体管的漏极连接,并且所述驱动级第二电感器的另一端接地,
所述放大级单元还包括:
放大级第一电感器,所述放大级第一电感器的一端与电源连接,并且所述放大级第一电感器的另一端与放大级晶体管的源极连接;
放大级晶体管,所述放大级晶体管的栅极与所述放大级偏置电路连接以接收信号,所述放大级晶体管的漏极与放大级第二电感器连接,并且所述放大级晶体管的源极与所述放大级第一电感器连接以输出信号;
放大级第二电感器,所述放大级第二电感器的一端与所述放大级晶体管的漏极连接,并且所述放大级第二电感器的另一端接地。
11.根据权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述放大器包括功率放大器和低噪声放大器,以对输入进行切换。
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