[实用新型]一种硅片退火用碳化硅舟有效
| 申请号： | 202023258026.6 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN213878049U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 高洪涛;叶绍凤;徐新华 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 退火 碳化硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片退火用碳化硅舟，其特征在于：包括底板（3），所述的底板（3）上端设有若干呈等间距环形分布且与底板（3）相贯穿式插嵌固定的柱体（2），所述的柱体（2）上端设有与底板（3）相平行设置的顶板（1），所述的顶板（1）与柱体（2）相螺纹式插嵌连接固定，所述的底板（3）下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体（2）相管路连通的进气管（4），所述的柱体（2）内设有与进气管（4）相连通的主气道（5），所述的主气道（5）侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽（7）。
2.根据权利要求1所述的一种硅片退火用碳化硅舟，其特征在于：上下两相邻的卡槽（7）间均设有与柱体（2）呈一体化的隔板（8）。
3.根据权利要求2所述的一种硅片退火用碳化硅舟，其特征在于：所述的隔板（8）内设有与进气管（4）相连通且贯穿隔板（8）上端面的悬浮通气孔道（6）。
4.根据权利要求3所述的一种硅片退火用碳化硅舟，其特征在于：所述的悬浮通气孔道（6）呈“L”状结构。
5.根据权利要求1所述的一种硅片退火用碳化硅舟，其特征在于：所述的进气管（4）与柱体（2）相螺纹式插嵌连接固定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
