[实用新型]一种硅片退火用碳化硅舟

说明书

本实用新型涉及一种硅片退火用碳化硅舟，所属硅片退火加工设备技术领域，包括底板，所述的底板上端设有若干呈等间距环形分布且与底板相贯穿式插嵌固定的柱体，所述的柱体上端设有与底板相平行设置的顶板，所述的顶板与柱体相螺纹式插嵌连接固定，所述的底板下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体相管路连通的进气管，所述的柱体内设有与进气管相连通的主气道，所述的主气道侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽。具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。

技术领域

本实用新型涉及硅片退火加工设备技术领域，具体涉及一种硅片退火用碳化硅舟。

背景技术

退火技术在半导体材料加工工艺过程中被广泛使用，其工艺目的在于通过退火工艺，将硅片近表面区域的晶体原生缺陷消除，并得到的一定宽度的洁净区，从而提高以硅片为基底制造的芯片的电学性能。退火工艺使用的是高温立式炉，其工作原理为通过电能转换为热能的方式，使炉内产生一个恒温区域，当达到了工艺要求的温度后，将装好硅片的碳化硅舟通过炉内的升降台运送至炉内的恒温区。并升入石英管内的恒温区域，随后进行退火以达到工艺目的。

现有的放置硅片的碳化硅舟，由于碳化硅舟纯度有限，在经过高温热处理后，碳化硅舟中的金属污染会扩散至硅片体内，从而影响最终由硅片制得的芯片的电学性能。

发明内容

本实用新型主要解决现有技术中存在运行稳定性差和使用寿命短的不足，提供了一种硅片退火用碳化硅舟，其具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种硅片退火用碳化硅舟，包括底板，所述的底板上端设有若干呈等间距环形分布且与底板相贯穿式插嵌固定的柱体，所述的柱体上端设有与底板相平行设置的顶板，所述的顶板与柱体相螺纹式插嵌连接固定，所述的底板下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体相管路连通的进气管，所述的柱体内设有与进气管相连通的主气道，所述的主气道侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽。

作为优选，上下两相邻的卡槽间均设有与柱体呈一体化的隔板。

作为优选，所述的隔板内设有与进气管相连通且贯穿隔板上端面的悬浮通气孔道。

作为优选，所述的悬浮通气孔道呈“L”状结构。

作为优选，所述的进气管与柱体相螺纹式插嵌连接固定。

本实用新型能够达到如下效果：

本实用新型提供了一种硅片退火用碳化硅舟，与现有技术相比较，具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型中的柱体的结构剖视图。

图中：顶板1，柱体2，底板3，进气管4，主气道5，悬浮通气孔道6，卡槽7，隔板8。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。