[实用新型]一种像素结构及显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

栅线；

主像素，电性连接至所述栅线且设于所述栅线一侧；

次像素，电性连接至所述栅线且设于所述栅线另一侧；

补充存储电容结构，与所述次像素电性连接且设于所述栅线和所述次像素之间，所述补充存储电容结构包括设于所述栅线和所述次像素之间的公共电极以及与公共电极相对设置的存储电极；以及

阻挡墙，设于所述栅线和所述补充存储电容结构之间。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括设于所述公共电极和所述栅线上的栅极绝缘层以及设于所述栅极绝缘层上的钝化层，所述存储电极设于所述栅极绝缘层和所述钝化层之间。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述栅极绝缘层的局部堆积形成第一凸起，所述第一凸起及设于所述第一凸起上的所述钝化层组成所述阻挡墙；或，

所述钝化层的局部堆积形成所述阻挡墙。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：

数据线，与所述栅线相交设置且位于所述像素结构的一侧；

第一薄膜晶体管，包括连接于所述栅线的第一栅极、连接于所述数据线的第一漏极以及连接于所述主像素的第一源极；

第二薄膜晶体管，包括连接于所述栅线的第二栅极、连接于所述数据线的第二漏极以及连接于所述次像素和所述存储电极的第二源极；

共享薄膜晶体管，包括连接于所述栅线的共享栅极、连接于所述存储电极的共享漏极以及连接于所述公共电极的共享源极。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述存储电极与所述第二漏极电性连接且同层形成。

6.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述栅线、所述公共电极、所述第一栅极、所述第二栅极和所述共享栅极均位于同一金属层。

7.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述数据线、所述存储电极，所述第一漏极、所述第一源极、所述第二漏极、所述第二源极、所述共享漏极和所述共享源极均位于同一金属层。

8.如权利要求1至7任一项所述的像素结构，其特征在于，所述栅线和所述主像素之间设有所述阻挡墙。

9.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置彩膜基板以及设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的间隔物，所述阵列基板包括如权利要求1至8任一项所述的像素结构，所述间隔物对应所述栅线设置。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板对应所述阻挡墙的位置的厚度大于所述阵列基板对应所述补充存储电容结构的位置的厚度，所述阵列基板对应所述阻挡墙的位置的厚度小于所述间隔物的高度。