[实用新型]一种像素结构及显示面板

说明书

本申请适用于显示技术领域，提供了一种像素结构及显示面板。本申请的像素结构包括栅线、电性连接至栅线且设于栅线一侧的主像素、电性连接至栅线且设于栅线另一侧的次像素、设于栅线和次像素之间的补充存储电容结构以及设于栅线和补充存储电容结构之间的阻挡墙，补充存储电容结构包括设于栅线和次像素之间的公共电极以及与公共电极相对设置的存储电极，本申请实施例提供的像素结构中，栅线和补充存储电容结构之间设有阻挡墙，当将该像素结构应用于显示面板中时，阻挡墙可以阻止间隙物由对应栅线的位置移动至补充存储电容结构的位置，可以避免阵列基板与彩膜基板之间的间隙变大而产生气泡现象的技术问题。

技术领域

本申请属于显示技术领域，特别涉及一种像素结构及显示面板。

背景技术

随着液晶显示技术的发展，显示屏幕的尺寸越来越大，传统采用四畴的像素结构会凸显视角色偏的不良现象。为了提升面板视角表现，减小色偏，八畴三晶体管的像素结构被逐渐运用于大尺寸电视面板的设计中，与四畴的像素结构不同，它可以使同一个子像素内的主像素的四个畴与次像素的四个畴的液晶分子转动角度不一样，从而改善色偏。

当将上述八畴三晶体管的像素结构应用于显示面板中时，显示面板包括采用上述像素结构的阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板以及设于阵列基板和彩膜基板之间的间隙物，上述八畴三晶体管的像素结构包括用于将像素结构划分为主像素和次像素的栅线和设于栅线和次像素之间的补充存储电容结构，为了提高显示面板的开口率，间隙物需要对应栅线设置，然而，当阵列基板和/或彩膜基板受到挤压时，间隙物容易由对应栅线位置移动至补充存储电容结构的位置，由于阵列基板对应补充存储电容结构的位置的高度高于阵列基板对应栅线的位置的高度，当间隙物由对应栅线位置移动至补充存储电容结构的位置时，阵列基板与彩膜基板之间的间隙变大，导致阵列基板与彩膜基板之间容易产生气泡现象。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种像素结构及显示面板，旨在解决显示面板的间隙物容易移位而导致气泡现象的技术问题。

本申请是这样实现的，一种像素结构，包括：

栅线；

主像素，电性连接至所述栅线且设于所述栅线一侧；

次像素，电性连接至所述栅线且设于所述栅线另一侧；

补充存储电容结构，设于所述栅线和所述次像素之间，所述补充存储电容结构包括设于所述栅线和所述次像素之间的公共电极以及与所述公共电极相对设置的存储电极；以及

阻挡墙，设于所述栅线和所述补充存储电容结构之间。

在一个实施例中，所述像素结构还包括设于所述公共电极和所述栅线上的栅极绝缘层以及设于所述栅极绝缘层上的钝化层，所述存储电极设于所述栅极绝缘层和所述钝化层之间。

在一个实施例中，所述栅极绝缘层的局部堆积形成第一凸起，所述第一凸起及设于所述第一凸起上的所述钝化层组成所述阻挡墙；或，

所述钝化层的局部堆积形成所述阻挡墙。

在一个实施例中，所述像素结构还包括：

数据线，与所述栅线相交设置且位于所述像素结构的一侧；

第一薄膜晶体管，包括连接于所述栅线的第一栅极、连接于所述数据线的第一漏极以及连接于所述主像素的第一源极；

第二薄膜晶体管，包括连接于所述栅线的第二栅极、连接于所述数据线的第二漏极以及连接于所述次像素和所述存储电极的第二源极；

共享薄膜晶体管，包括连接于所述栅线的共享栅极、连接于所述存储电极的共享漏极以及连接于所述公共电极的共享源极。

在一个实施例中，所述存储电极与所述第二漏极电性连接且同层形成。