[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202080000494.7 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN113892182B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 张波;董向丹;王蓉;苟结;程博 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
一种显示面板(100)和显示装置,该显示面板(100)包括:基板(SUB),基板(SUB)包括:显示区(DA)、外围区(PA)和焊盘区(WA),焊盘区(WA)位于所述外围区(PA)远离显示区(DA)的一侧;至少一个阻挡物(10),阻挡物(10)位于外围区(PA)中且环绕显示区(DA),阻挡物(10)包括位于显示区(DA)与焊盘区(WA)之间的单侧阻挡结构;有机绝缘结构(20),有机绝缘结构(20)包括层叠设置的多个子绝缘结构(21),子绝缘结构(21)的一部分位于显示区(DA),每个子绝缘结构(21)具有位于显示区(DA)与单侧阻挡结构之间的第一边界(E1),对于任意相邻的两个子绝缘结构(21),远离基板(SUB)一侧的所述子绝缘结构(21)的第一边界(E1)比靠近基板(SUB)一侧的子绝缘结构(21)的第一边界更靠近显示区(DA);任意相邻两个子绝缘结构(21)的第一边界(E1)之间的间距大于或等于20μm;触控电极图形;触控信号线(TL)。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示技术的发展,OLED显示装置得到广泛应用。为了满足用户对于产品厚度及触控体验的需求,在一种生产工艺中,将触控功能层制作在OLED显示面板的封装层上。
发明内容
本公开实施例提供一种显示面板和显示装置。
根据本公开的第一方面,提供一种显示面板,包括:
基板,包括显示区、外围区和焊盘区,所述外围区环绕所述显示区,所述焊盘区位于所述外围区远离所述显示区的一侧;
至少一个阻挡物,设置在所述基板上,所述阻挡物位于所述外围区中且环绕所述显示区,所述阻挡物包括位于所述显示区与所述焊盘区之间的单侧阻挡结构;
有机绝缘结构,设置在所述基板上,所述有机绝缘结构包括层叠设置的多个子绝缘结构,所述多个子绝缘结构中的每个子绝缘结构的一部分位于所述显示区,所述多个子绝缘结构中的每个子绝缘结构具有位于所述显示区与所述单侧阻挡结构之间的第一边界,其中,对于任意相邻的两个所述子绝缘结构,远离所述基板一侧的所述子绝缘结构的第一边界比靠近所述基板一侧的所述子绝缘结构的第一边界更靠近所述显示区;任意相邻两个所述子绝缘结构的第一边界之间的间距大于或等于20μm;
触控电极图形,设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧;
触控信号线,设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧,所述触控信号线的一端与所述触控电极图形电连接,另一端连接至所述焊盘区,所述触控信号线在所述外围区的部分在所述基板上的正投影与每个所述子绝缘结构的第一边界相交。
在一些实施例中,任意相邻两个所述子绝缘结构的第一边界之间的间距在25μm~60μm之间。
在一些实施例中,所述有机绝缘结构的多个所述子绝缘结构包括:
第一平坦化层,设置在所述基板上;
第二平坦化层,位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧;
像素界定层,位于所述第二平坦化层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中,所述子绝缘结构的第一边界与所述单侧阻挡结构之间具有间隔。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:封装层,设置在所述有机绝缘结构远离所述基板的一侧;其中,所述触控电极图形和所述触控信号线均位于所述封装层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中,所述封装层包括:
第一无机封装层;
第二无机封装层,位于所述第一无机封装层远离所述基板的一侧;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的