[发明专利]半导体晶片表面的亲水化处理液在审
| 申请号： | 202080005194.8 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112740371A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 坂西裕一 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 水化 处理 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶片表面的亲水化处理液，其含有水及下述式(1)表示的化合物，水及下述式(1)表示的化合物的总含有比例为95重量％以上，
R1O-(C3H6O2)n-H (1)
式(1)中，
R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～24的烃基、或R2CO表示的基团，所述R2表示碳原子数1～24的烃基，
n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度，为2～60。
2.根据权利要求1所述的亲水化处理液，其中，
式(1)表示的化合物的含有比例为0.01～1.5重量％。
3.根据权利要求1或2所述的亲水化处理液，其中，
磨粒及碱性化合物的合计的含有比例为0.1重量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的亲水化处理液，其pH小于8。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的亲水化处理液，其中，
式(1)表示的化合物的重均分子量为100～3000。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的亲水化处理液，其中，
式(1)表示的化合物的HLB值为14以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的亲水化处理液，其为冲洗研磨溶液。
8.一种半导体器件的制造方法，其包括：
使用权利要求1～7中任一项所述的亲水化处理液对半导体晶片表面进行亲水化处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
