[发明专利]半导体晶片表面的亲水化处理液

说明书

本发明提供能够为半导体晶片表面赋予亲水性的半导体晶片表面的亲水化处理液。本发明的半导体晶片表面的亲水化处理液含有水及下述式(1)表示的化合物，水及下述式(1)表示的化合物的总含有比例为95重量％以上，R¹O‑(C₃H₆O₂)_n‑H(1)(式中，R¹表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～24的烃基、或R²CO表示的基团，上述R²表示碳原子数1～24的烃基，n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度，为2～60)。

技术领域

本申请的发明涉及半导体晶片的表面的亲水化处理液。本申请主张在2019年3月22日向日本提出申请的日本特愿2019-054530号的优先权，将其内容援引于此。

背景技术

一般而言，在半导体晶片(以下，也简称为“晶片”)的制造工序中，对于经切割后的硅单晶锭，使其在蚀刻处理后经历研磨工序(通常为一次研磨、二次研磨、精研磨这3个阶段)。在该研磨工序中，为了防止晶片表面的污染，保持亲水性的状态是重要的。这是因为，如果在刚研磨后晶片表面干燥，则其间附着的粒子、金属杂质、有机物等污染异物会粘固于晶片表面，在后续工序的清洗工序中也难以除去。上述的污染异物在晶片的检查工序中会成为导致表面缺陷(LPD：Light point defects(亮点缺陷))的原因。另外，如果LPD增加，则表面粗糙度(雾度)也上升，会引起晶片表面的品质降低。因此，自以往开始即通过调整浆料等研磨材料的组成来使精研磨后的晶片表面亲水化。

对于经过了精研磨的晶片，随后使其经历清洗工序。在该清洗工序中进行“水研磨(water polish)”。该水研磨是在精研磨后，一边向研磨垫上供给清洗水一边运转研磨装置，从而冲洗晶片的研磨面。由此，在防止晶片表面被碱性的研磨材料过度蚀刻的同时，将附着于研磨面的研磨磨粒洗掉。

例如，在专利文献1中公开了一种半导体晶片基板的表面清洗方法，其中，包括对研磨后的晶片基板的表面仅供给不含研磨材料的清洗水而进行研磨的水研磨清洗工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-270492号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在仅使用水的水研磨中，通过基于研磨垫的刷洗，硅晶片的Si面会露出。该Si面为疏水性的面，因此容易被粒子、金属杂质、有机物等污染异物所污染。而且，存在难以将附着于疏水性晶片表面的这些污染异物除去的倾向。因此，存在下述问题：成为了亲水性的精研磨后的晶片表面会因水研磨而恢复至疏水性，吸附上述的污染异物，导致晶片表面的清洗度降低。

因此，本申请的目的在于提供能够为半导体晶片表面赋予亲水性的亲水化处理液。

另外，本申请的目的在于提供可通过适用于在精研磨后成为了亲水性的半导体晶片表面从而使其在冲洗研磨后也保持亲水性的冲洗研磨溶液。

另外，本申请的其它目的在于提供包括使用上述的亲水化处理液对半导体晶片表面进行亲水化处理的工序的半导体器件的制造方法。

解决问题的方法

本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，利用含有水和下式(1)表示的化合物、且水及下式(1)表示的化合物的总含有比例为95重量％以上的半导体晶片表面的亲水化处理液，能够为半导体晶片表面赋予亲水性。本申请的发明是基于这些见解而完成的。

即，本申请的发明提供一种半导体晶片表面的亲水化处理液(以下，也称为“本申请的亲水化处理液”)，其含有水及下式(1)表示的化合物，水及下式(1)表示的化合物的总含有比例为95重量％以上，