[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080007254.X | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113316840A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吉备和雄;津田俊武;铃木健二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
孔形成工序，在层叠于基板上的绝缘膜的区域形成孔；
第一填埋工序，在所述孔内将第一导电材料填埋到比构成所述孔的侧壁的高度低的位置；
第二填埋工序，在填埋所述第一导电材料的所述孔内，通过选择性生长进一步填埋第二导电材料；以及
蚀刻工序，通过对所述第二导电材料进行蚀刻而在所述孔的上方的位置形成接触垫。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第一导电材料是多晶硅，
所述第二导电材料是钨。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述第二填埋工序中，交替地重复如下工序：将含钨气体供给到所述基板的表面的工序；以及将含氢气体的等离子体供给到所述基板的表面的工序。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含钨气体是WCl5气体、或者WCl6气体、或者WF6气体，
所述含氢气体是H2气体或者SiH4气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
