[发明专利]半导体装置的制造方法在审

申请号：	202080007254.X	申请日：	2020-03-16
公开（公告）号：	CN113316840A	公开（公告）日：	2021-08-27
发明（设计）人：	吉备和雄;津田俊武;铃木健二	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L23/522;H01L21/8242;H01L27/108
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	舒艳君;王海奇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

本发明涉及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括孔形成工序、第一填埋工序、第二填埋工序以及蚀刻工序。在孔形成工序中，在层叠于基板上的绝缘膜的区域形成孔。在第一填埋工序中，在孔内将第一导电材料填埋到比构成孔的侧壁的高度低的位置。在第二填埋工序中，在填埋第一导电材料的孔内，通过选择性生长进一步填埋第二导电材料。在蚀刻工序中，通过对第二导电材料进行蚀刻而在孔的上方的位置形成接触垫。

技术领域

本公开的各种方面以及实施方式涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

例如，在下述专利文献1中公开了在DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)等半导体装置的制造工序中，在用于将电容器和扩散层连接的接触插塞上形成接触垫。接触垫层叠在层叠有阻隔膜的接触插塞上。通过接触垫，能够吸收电容器与接触插塞之间的位置偏移。

专利文献1：美国专利申请公开第2018/0040561号说明书

发明内容

本公开提供一种半导体装置的制造方法，能够减少接触垫的电阻值。

本公开的一方面是半导体装置的制造方法，包括孔形成工序、第一填埋工序、第二填埋工序以及蚀刻工序。在孔形成工序中，在层叠于基板上的绝缘膜的区域形成孔。在第一填埋工序中，在孔内将第一导电材料填埋到比构成孔的侧壁的高度低的位置。在第二填埋工序中，在填埋第一导电材料的孔内通过选择性生长进一步填埋第二导电材料。在蚀刻工序中，通过对第二导电材料进行蚀刻而在孔的上方的位置形成接触垫。

根据本公开的各种方面以及实施方式，能够减少接触垫的电阻值。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造方法的一个例子的流程图。

图2A是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造所使用的晶片的一个例子的俯视图。

图2B是图2A所例示的晶片的A-A剖视图。

图3A是表示填埋绝缘膜的晶片的一个例子的俯视图。

图3B是图3A所例示的晶片的A-A剖视图。

图4是表示层叠有规定图案的掩模膜的晶片的一个例子的俯视图。

图5是表示形成有孔的晶片的一个例子的俯视图。

图6A是表示在孔内形成有接触插塞的晶片的一个例子的俯视图。

图6B是图6A所例示的晶片的A-A剖视图。

图7A是表示在孔内填埋第二导电材料的晶片的一个例子的俯视图。