[发明专利]用于制备I型吡虫啉多晶型体的方法

权利要求书

1.一种用于制备I型吡虫啉的方法，包括：

a)精制吡虫啉；以及

b)选择性结晶I型吡虫啉多晶型体。

2.根据权利要求1所述的方法，包括通过减少杂质来纯化吡虫啉，其中所述杂质包含由式2表示的二聚体杂质。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法提供具有由式2表示的二聚体杂质的I型吡虫啉，所述杂质降低至小于或等于0.5％w/w。

4.一种用于制备I型吡虫啉的方法，包括：

步骤-1：

a)将吡虫啉溶解在有机溶剂中；

b)以预定速率冷却溶液；以及

c)执行结晶，得到具有显著较少杂质的吡虫啉

步骤-2：

a)将得自步骤-1的吡虫啉溶解在有机溶剂中；

b)以预定速率冷却溶液；以及

c)执行结晶，得到基本上纯的I型吡虫啉多晶型体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述杂质包含由式2表示的二聚体。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述有机溶剂选自醇、醚、芳族烃、酮、氯化溶剂、酯、脂族烃、腈、酰胺、有机硫溶剂、水或它们的混合物。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述有机溶剂选自醇、脂族烃或芳族烃、腈、水或它们的混合物。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙腈或它们的组合。

9.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法包括选自以下的至少一个步骤：步骤-1(a)在约25℃至约120℃范围内的温度处进行，步骤-1(b)在约20℃至约50℃范围内的温度处进行，或步骤-1(c)结晶通过突然或逐渐冷却来执行。

10.根据权利要求4所述的方法，其中步骤1(a)包含II型吡虫啉和由式2表示的二聚体杂质。

11.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法包括选自以下的至少一个步骤：步骤2(a)在约25℃至约120℃范围内的温度处进行，步骤2(b)在约20℃至约50℃范围内的温度处进行，步骤2(c)在约-15℃至约30℃范围内的温度处进行，或步骤2(c)结晶通过逐渐冷却来执行。

12.根据权利要求4所述的方法，其中步骤2(a)包含II型吡虫啉或者I型吡虫啉和II型吡虫啉的混合物。

13.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法提供具有由式2表示的二聚体杂质的I型吡虫啉，所述杂质降低至小于或等于0.5％w/w。

14.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法提供具有至少98％纯度的I型吡虫啉。

15.一种用于选择性制备I型吡虫啉多晶型体的方法，所述方法包括：

a)将杂质小于0.5％的吡虫啉溶解在有机溶剂中；

b)以预定速率冷却溶液；以及

c)执行结晶，得到I型吡虫啉多晶型体。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述杂质包含由式2表示的二聚体。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述有机溶剂选自醇、醚、芳族烃、酮、氯化溶剂、酯、脂族烃、腈、酰胺、有机硫溶剂、水或它们的混合物。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述有机溶剂选自醇、脂族烃或芳族烃、腈、水或它们的混合物。