[发明专利]微装置匣结构

权利要求书

1.一种从系统衬底上的微装置集成阵列释放微装置的方法，所述方法包括：

其中从所述集成阵列去除缓冲层以从所述阵列释放微装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中背板或微装置上的测试垫产生拉出微装置的力。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述背板由TFT制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层将一或多个微装置连接到测试垫以偏置且测试微装置的功能性。

5.根据权利要求4所述的方法，其中对于在顶侧具有多于一个触点的微装置，所述缓冲层经图案化以将至少一个微装置的所述触点连接到测试垫。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述测试是在衬底或匣层级处进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述系统衬底上的所述微装置集成阵列包括所述衬底上的平面有源层，所述平面有源层包括第一底部导电层、功能层及第二顶部导电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述微装置是通过利用在形成所述微装置之前或之后沉积的其它层蚀刻所述平面有源层来显影。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述缓冲层形成于所述系统衬底上，且可在所述系统衬底的表面上方延伸。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述缓冲层为导电的。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述缓冲层包含可图案化或共同电极。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述缓冲层经图案化，从而产生通向所述微装置的开口，其中所述开口提供用于形成锚固件的通路且保护层沉积于所述缓冲层的顶部上，使得所述保护层可经图案化以产生更多锚固件。

13.根据权利要求9所述的方法，其中平坦化层沉积于所述系统衬底的顶部上，使得所述平坦化层可经固化。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述平坦化层包括聚合物。

15.根据权利要求13所述的方法，其中接合层形成于所述平坦化层上或所述匣上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述接合层提供一种或多种不同的力且在其与所述平坦化层接触之后使其固化。

17.根据权利要求15所述的方法，在中间衬底形成于所述接合层上方之后，通过激光或化学剥离来去除所述系统衬底。

18.根据权利要求15所述的方法，其中将所述微装置连接到所述平坦化层或保护层的所述缓冲层中的开口使得所述连接可起如锚固件的作用，且所述锚固件在所述化学剥离之后固定所述微装置。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述缓冲层经蚀刻以形成至少部分围绕所述微装置的壳体、基部或锚固件。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所释放微装置的所述壳体经回蚀、缩小或去除。

21.根据权利要求19所述的方法，其中去除所述系统衬底，使得能够在所述衬底侧面上进行挠性系统处理，其中所述处理可包含去除额外的共同层，薄化所述平坦化层及/或所述微装置。

22.根据权利要求21所述的方法，其中将一或多个测试垫添加到所述微装置中，使得所述测试垫可导电。