[发明专利]半导体激光装置以及半导体激光元件

说明书

半导体激光装置(200)具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件(100)，半导体激光元件(100)包括分离形成在基板(1)上的第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)。在半导体激光元件(100)，第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)分别具有以n型半导体层(2)、活性层(3)、p型半导体层(4)的顺序依次层叠的层叠结构体(500)。第1发光元件区域(81)具有被配置在n型半导体层(2)上的第1电极膜(10a)。第2发光元件区域(82)具有被p型半导体层(4)上的第2电极膜(11b)。第1电极膜(10a)第2电极膜(11b)电连接。

技术领域

本公开涉及半导体激光装置以及半导体激光元件。

背景技术

以往公开了一种具有多个发光元件区域的半导体激光阵列元件等半导体激光元件(例如，参照专利文献1)。

专利文献1中公开的构成是，半导体激光阵列元件的各自的发光元件区域并联且电连接。因此，在专利文献1公开的半导体激光阵列元件的各自的发光元件区域中被并行地注入电流。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1日本特开平11-220204号公报

然而，在专利文献1公开的构成中存在的课题是，由于多个发光元件区域并联连接，因此驱动电流过大。

发明内容

本公开提供一种抑制了半导体激光元件的驱动电流的半导体激光装置等。

本公开的一个形态所涉及的半导体激光装置具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件，所述半导体激光元件包括分离形成在基板上的第1发光元件区域和第2发光元件区域，在所述半导体激光元件中，所述第1发光元件区域以及所述第2发光元件区域分别具有层叠结构体，在该层叠结构体中，以一导电型半导体层、活性层、以及另一导电型半导体层的顺序来层叠，所述第1发光元件区域具有被配置在所述一导电型半导体层上的第1电极膜，所述第2发光元件区域具有被配置在所述另一导电型半导体层上的第2电极膜，所述第1电极膜与所述第2电极膜电连接。

并且，本公开的一个形态所涉及的半导体激光元件具有层叠结构体，在该层叠结构体中，以一导电型半导体层、活性层、以及另一导电型半导体层的顺序，依次在基板上层叠，所述半导体激光元件具有：将所述层叠结构体分隔而形成的第1发光元件区域和第2发光元件区域；以及被配置在所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层上的第1电极膜、和被配置在所述第2发光元件区域的所述另一导电型半导体层上的第2电极膜，所述第1电极膜与所述第2电极膜电连接，在所述第1发光元件区域与所述第2发光元件区域之间配置分离区域，该分离区域使所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层与所述第2发光元件区域的所述一导电型半导体层隔开，在所述分离区域中，在所述基板设置有槽部，在所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层与所述基板之间配置有电流阻止层。

通过本公开的一个形态所涉及的半导体激光装置等，半导体激光元件的驱动电流得到抑制。

附图说明

图1是示出实施方式1所涉及的半导体激光元件的截面图。

图2是示出实施方式1所涉及的半导体激光装置的截面图。

图3是示出实施方式1的变形例1所涉及的半导体激光元件的截面图。

图4是示出实施方式2所涉及的半导体激光元件的截面图。

图5是示出实施方式2所涉及的半导体激光装置的截面图。

图6是示出实施方式2的变形例1所涉及的半导体激光装置的截面图。

图7是示出实施方式3所涉及的半导体激光元件的截面图。

图8是示出实施方式3所涉及的半导体激光装置的截面图。