[发明专利]具有劣化补偿的高电压移位器

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器单元群组；及

高电压移位器电路，其包含：

信号传送电路，其包含耦合在所述高电压移位器电路的输入端口与输出端口之间的P沟道晶体管，所述P沟道晶体管经配置以将在所述输入端口处接收的高电压输入传送到耦合到所述存储器单元群组中的一或多者的存取线；及

补偿器电路，其经配置以通过在指定时间段内将与电源电压(Vcc)分开且高于电源电压(Vcc)的支持电压耦合到所述信号传送电路来将控制信号提供到所述信号传送电路来补偿所述P沟道晶体管的劣化。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述补偿器电路经配置以在所述指定时间段之后与所述支持电压去耦，且将所述电源电压(Vcc)耦合到所述信号传送电路。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述信号传送电路进一步包含具有耦合到所述控制信号的栅极的第一N沟道晶体管，所述第一N沟道晶体管及所述P沟道晶体管串联连接且耦合在所述高电压移位器电路的所述输入端口与所述输出端口之间。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述P沟道晶体管是具有正阈值电压的高电压PMOS晶体管，且所述N沟道晶体管是具有负阈值电压的高电压NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述补偿器电路包含高电压控制(HVC)信号生成器及第二N沟道晶体管，所述HVC信号生成器经配置以生成所述控制信号，且将所述控制信号耦合到所述第二N沟道晶体管的栅极，其中所述第二N沟道晶体管具有连接到所述第一N沟道晶体管的栅极的源极。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述HVC信号生成器包含经配置以在所述电源电压(Vcc)与所述支持电压之间进行选择的多路复用器(MUX)。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述支持电压是电荷泵或外部电力供应器。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述支持电压是由具有浮动栅极的所述第二N沟道晶体管提供的自升压电压，所述自升压电压包含升压达所述第二N沟道晶体管的阈值电压(Vth)的所述电源电压(Vcc)。

9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述HVC信号生成器经配置以在备用状态期间选择所述电源电压(Vcc)，且在所述指定时间段期间响应于移位器启用信号而切换到所述支持电压以补偿所述P沟道晶体管的劣化。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述指定时间段是预定时间段，且所述HVC信号生成器经配置以在所述预定时间段之后切换到所述电源电压(Vcc)。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述HVC信号生成器经配置以响应于所述输出端口处的输出电压达到所述高电压移位器电路中的低电压晶体管的最大击穿电压而切换到所述电源电压(Vcc)。

12.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述HVC信号生成器经配置以耦合到两个或更多个高电压移位器。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取线经配置以连接到所述高电压移位器电路的所述输出端口，且所述信号传送电路经配置以使用所述经传送高电压输入来对所述存取线进行充电。

14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存取线包含字线或全局字线。