[发明专利]半导体晶圆及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202080019602.5 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN113544815A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 伊藤冬马;吉水康人;久下宣仁;嘉义唯;小幡进;松尾圭一郎;佐野光雄 申请(专利权)人: 株式会社东芝;铠侠股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/306;H01L27/11582;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;C30B29/06;C30B29/20;C30B29/36
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

本发明的半导体晶圆具备表面,所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。

技术领域

实施方式的发明涉及一种半导体晶圆及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体元件的制造中,存在使用未形成半导体元件的NPW(Non Product Wafer,非成品晶圆)的情况。此外,已知在半导体晶圆上三维地配置存储单元的半导体元件。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:国际公开第2015-012874号

专利文献2:国际公开第2010-114887号

发明内容

实施方式的发明要解决的问题是提供一种表面积更大的半导体晶圆。

实施方式的半导体晶圆具备表面,所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。

附图说明

图1是半导体晶圆的外观示意图。

图2是表示半导体晶圆的结构例的俯视示意图。

图3是表示半导体晶圆的结构例的截面示意图。

图4是表示半导体晶圆的结构例的俯视示意图。

图5是表示区域101与区域102的交界部的俯视示意图。

图6是用于说明半导体晶圆的制造方法例的示意图。

图7是用于说明半导体晶圆的制造方法例的示意图。

图8是用于说明半导体晶圆的制造方法例的示意图。

图9是用于说明半导体晶圆的其它制造方法例的示意图。

图10是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。

图11是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。

图12是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。

图13是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。

图14是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。

图15是表示半导体装置的结构例的截面示意图。

图16是表示半导体制造装置的构成例的示意图。

图17是表示半导体元件的结构例的示意图。

图18是用于说明半导体元件的制造方法例的示意图。

图19是用于说明半导体元件的制造方法例的示意图。

具体实施方式

以下,参照图式对实施方式进行说明。图式所记载的各构成要素的厚度与平面尺寸的关系、各构成要素的厚度的比率等有与实物不同的情况。此外,在实施方式中,对实质上相同的构成要素标注相同的符号且适当省略说明。

(半导体晶圆的结构例)

图1是半导体晶圆的外观示意图,图2是表示半导体晶圆的结构例的俯视示意图,表示包含半导体晶圆的X轴及与X轴正交的Y轴的X-Y平面的一部分。图3是表示半导体晶圆的结构例的截面示意图,表示包含X轴以及与X轴及Y轴正交的Z轴的X-Z剖面的一部分。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;铠侠股份有限公司,未经株式会社东芝;铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080019602.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top