[发明专利]半导体晶圆及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202080019602.5 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN113544815A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 伊藤冬马;吉水康人;久下宣仁;嘉义唯;小幡进;松尾圭一郎;佐野光雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/306;H01L27/11582;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;C30B29/06;C30B29/20;C30B29/36 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
本发明的半导体晶圆具备表面,所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。
技术领域
实施方式的发明涉及一种半导体晶圆及半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体元件的制造中,存在使用未形成半导体元件的NPW(Non Product Wafer,非成品晶圆)的情况。此外,已知在半导体晶圆上三维地配置存储单元的半导体元件。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:国际公开第2015-012874号
专利文献2:国际公开第2010-114887号
发明内容
实施方式的发明要解决的问题是提供一种表面积更大的半导体晶圆。
实施方式的半导体晶圆具备表面,所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。
附图说明
图1是半导体晶圆的外观示意图。
图2是表示半导体晶圆的结构例的俯视示意图。
图3是表示半导体晶圆的结构例的截面示意图。
图4是表示半导体晶圆的结构例的俯视示意图。
图5是表示区域101与区域102的交界部的俯视示意图。
图6是用于说明半导体晶圆的制造方法例的示意图。
图7是用于说明半导体晶圆的制造方法例的示意图。
图8是用于说明半导体晶圆的制造方法例的示意图。
图9是用于说明半导体晶圆的其它制造方法例的示意图。
图10是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。
图11是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。
图12是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。
图13是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。
图14是表示半导体晶圆的其它结构例的截面示意图。
图15是表示半导体装置的结构例的截面示意图。
图16是表示半导体制造装置的构成例的示意图。
图17是表示半导体元件的结构例的示意图。
图18是用于说明半导体元件的制造方法例的示意图。
图19是用于说明半导体元件的制造方法例的示意图。
具体实施方式
以下,参照图式对实施方式进行说明。图式所记载的各构成要素的厚度与平面尺寸的关系、各构成要素的厚度的比率等有与实物不同的情况。此外,在实施方式中,对实质上相同的构成要素标注相同的符号且适当省略说明。
(半导体晶圆的结构例)
图1是半导体晶圆的外观示意图,图2是表示半导体晶圆的结构例的俯视示意图,表示包含半导体晶圆的X轴及与X轴正交的Y轴的X-Y平面的一部分。图3是表示半导体晶圆的结构例的截面示意图,表示包含X轴以及与X轴及Y轴正交的Z轴的X-Z剖面的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造