[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂，

在式(1)和式(2)中，R¹表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q₁和Q₂各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X¹表示碳原子数1～50的有机基，i和j各自独立地表示0或1。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(3)所示的官能团为下述式(4)所示的基团，

在式(4)中，＊表示与氧原子的结合端。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(2)所示的重复结构单元中，X¹表示碳原子数2～20的直链状、支链状或环状的二价烃基，或表示具有至少1个硫原子或氧原子的碳原子数2～20的直链状、支链状或环状的二价有机基，或表示包含至少1个碳原子数6～20的芳香族环或碳原子数3～12的杂环的二价有机基，该杂环具有至少1个硫原子或氧原子。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述共聚物中包含由包含R¹的单体形成的重复结构单元25％以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含光交联剂。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含下述式(5)所示的化合物和/或式(6)所示的化合物，

式中，X²表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示0～5的整数，满足3≤l+m≤10的关系式，R³表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基或单键，k表示0或1，n表示2～4的整数。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

8.一种制造抗蚀剂下层膜的方法，其包含下述加热工序：在具有高低差的基板上涂布权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，然后使其热固化。

9.根据权利要求8所述的制造抗蚀剂下层膜的方法，所述加热工序的加热温度为200℃～300℃。

10.根据权利要求9所述的制造抗蚀剂下层膜的方法，其进一步包含进行曝光的曝光工序。

11.一种不经过曝光工序而制造抗蚀剂下层膜的方法，其包含下述加热工序：在具有高低差的基板上涂布权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，然后使其在250℃以上热固化。