[发明专利]中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法

权利要求书

1.一种用于微电子装置组件的中介层，其包括：

主体，其在平面上延伸且包括半导体材料；

所述主体的表面上的位置，其用于将多个微电子装置可操作地耦合到所述主体的电路系统；以及

所述主体的所述半导体材料的有源表面上方的高速缓冲存储器，其可操作地耦合到延伸到所述主体的所述表面上的用于将主机装置可操作地耦合到所述高速缓冲存储器的位置的电路系统。

2.根据权利要求1所述的中介层，其中所述高速缓冲存储器包括SRAM。

3.根据权利要求1所述的中介层，其中所述高速缓冲存储器位于所述主体的所述表面上的用于将主机装置可操作地耦合到所述高速缓冲存储器的所述位置下方。

4.根据权利要求1所述的中介层，其中所述主机装置包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、控制器或片上系统(SoC)。

5.根据权利要求1所述的中介层，其中所述主体的所述表面上的所述位置中的至少一者是用于将微电子存储器装置可操作地耦合到与所述高速缓冲存储器通信的所述主体的电路系统的位置。

6.根据权利要求5所述的中介层，其中用于将微电子存储器装置可操作地耦合到与所述高速缓冲存储器通信的所述主体的电路系统的所述位置中的所述至少一者包括用于所述微电子存储器装置可操作地耦合到与所述高速缓冲存储器通信的所述主体的所述电路系统的接口电路系统段。

7.根据权利要求1所述的中介层，其中所述半导体材料是硅。

8.根据权利要求1所述的中介层，其中所述半导体材料包括所述主体的芯，并且所述中介层进一步包括在所述主体的所述芯与所述表面之间的再分布结构，所述再分布结构在所述高速缓冲存储器与所述主体的所述表面上的所述位置之间延伸。

9.根据权利要求1所述的中介层，其中所述半导体材料包括所述主体的芯，并且所述中介层进一步包括在所述主体的所述芯和与用于可操作地耦合多个微电子装置的所述表面相对的表面上方的再分布结构，其中所述再分布结构配置用于在所述中介层与外部电路系统之间通信。

10.一种微电子装置组件，其包括：

中介层，其包括形成于半导体材料的有源表面上的高速缓冲存储器；

所述中介层的电路系统，其在至少一个主机装置位置与一或多个存储器装置位置之间延伸；

主机装置，其可操作地耦合到所述至少一个主机装置位置，与所述高速缓冲存储器通信；以及

高带宽存储器装置，其可操作地耦合到所述一或多个存储器装置位置中的每一者。

11.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述高速缓冲存储器包括SRAM，并且所述SRAM至少部分地位于所述至少一个主机装置位置下方。

12.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述高带宽存储器装置是HBM方块或HMC。

13.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述一或多个存储器装置位置中的每一者包括用于与所述高带宽存储器装置介接的逻辑电路系统。

14.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述主机装置包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、控制器或片上系统(SoC)。

15.根据权利要求10所述的微电子装置组件，所述中介层进一步包括用于通过所述中介层的与所述至少一个主机装置位置和所述一或多个存储器装置位置相对的表面上的离散导电元件将所述主机装置可操作地耦合到所述中介层外部电路系统的电路系统。