[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

布线层；

设置在所述布线层上的氮化钛层；

设置在所述氮化钛层上的氮氧化钛层；

设置在所述氮氧化钛层上的氧化钛层；以及

设置在所述氧化钛层上的表面保护膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述布线层由铝或铝合金形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面保护膜具有：

设置在所述氧化钛层上的氧化硅膜；以及

设置在所述氧化硅膜上的氮化硅膜。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述氮氧化钛层与所述氧化钛层的合计膜厚为30nm以上。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述焊盘是高电压基准电路中的高电位侧焊盘。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

设置有贯通所述氮化钛层、所述氮氧化钛层、所述氧化钛层以及所述表面保护膜来使所述布线层的一部分露出的开口部，所述布线层的露出的一部分构成焊盘。

7.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述焊盘的周边区域选择性地设置有由所述氮化钛层、所述氮氧化钛层以及所述氧化钛层构成的三层构造，

在与所述周边区域相比远离所述焊盘的区域选择性地设置有由所述氮化钛层和高浓度氧化钛层构成的二层构造。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

由所述氮化钛层、所述氮氧化钛层以及所述氧化钛层构成的三层构造与所述开口部邻接地设置。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在半导体基板上沉积布线形成用金属膜；

在所述布线形成用金属膜上沉积氮化钛层；

在所述氮化钛层上沉积钛层；

在所述钛层上形成抗蚀剂图案；

将所述抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来将所述布线形成用金属膜形成图案，由此形成布线层；

将所述钛层的上表面氧化，来形成氧化钛层；

使氧和氮在所述钛层中扩散，来在所述氮化钛层与所述氧化钛层之间形成氮氧化钛层；以及

在所述氧化钛层上形成表面保护膜。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将所述钛层沉积为30nm以上的膜厚。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使用同一溅射装置来连续地形成所述布线层、所述氮化钛层以及所述钛层。

12.根据权利要求9～11中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包括以下工序：在沉积了所述钛层之后，使所述钛层的处于所述焊盘的周边区域的一部分残留，同时选择性地去除所述钛层的处于与所述周边区域相比远离所述焊盘的区域的其它一部分。

13.根据权利要求9～12中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包括以下工序：选择性地去除所述表面保护膜、所述氧化钛层、所述氮氧化钛层以及所述氮化钛层各自的一部分，由此使所述布线层的一部分露出来形成焊盘。