[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供一种半导体装置，能够防止设置在半导体基板上的防反射膜的分解反应以及布线层的腐蚀等，从而能够提高可靠性。具备布线层(11)、设置在布线层(11)上的氮化钛层(21)、设置在氮化钛层(21)上的氮氧化钛层(22)、设置在氮氧化钛层(22)上的氧化钛层(23)、以及设置在氧化钛层(23)上的表面保护膜(31、32)，设置有贯通氮化钛层(21)、氮氧化钛层(22)、氧化钛层(23)以及表面保护膜(31、32)来使布线层(11)的一部分露出的开口部(11b)，布线层(11)的露出的一部分构成焊盘(11a)。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

已知在半导体集成电路(IC)等半导体装置中，在设置在半导体基板上的由铝(Al)等形成的布线层上形成由氮化钛(TiN)膜等形成的防反射膜，由此减少在形成用于将布线层形成图案的抗蚀剂图案时的来自基底的光的反射(光晕)(参照专利文献1-5)。

在专利文献1-4中，公开了在布线层上形成单层的TiN膜来作为防反射膜。专利文献5公开了在布线层上形成下层的钛(Ti)膜与上层的TiN膜的层叠构造，该TiN膜的成分比连续地变化。专利文献6公开了将布线层下的势垒金属膜形成为由被Ti膜夹在中间的TiN膜形成的三层构造，但是没有关于布线层上的防反射膜的公开。

在专利文献1-5所记载的防反射膜上形成有表面保护膜。并且形成贯通表面保护膜和防反射膜的开口部，并将布线层的在开口部露出的一部分作为用于与接合线连接的焊盘。在开口部的侧壁，作为防反射膜的TiN层的端部露出。在高温高湿偏压(THB)环境下，当TiN层的端部在开口部的侧壁露出时，TiN与水分发生反应，成为氧化钛(TiO)而体积膨胀。其结果被指出，在表面保护膜形成裂缝或膜中的空洞，招致焊盘周边部的腐蚀等不良状况。

因此，在专利文献2-4中公开了：通过与焊盘开口用的蚀刻工序不同的蚀刻工序来使TiN层的端部后退到比开口部靠后，并用表面保护膜覆盖TiN层的端部，以使TiN层在焊盘开口部的侧壁不露出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平3-292757号公报

专利文献2：日本特开平2-205323号公报

专利文献3：日本专利第5443827号说明书

专利文献4：日本专利第5702844号说明书

专利文献5：日本专利第3460417号说明书

专利文献6：日本专利第5702844号说明书

发明内容

发明要解决的问题

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够防止设置在半导体基板上的防反射膜的分解反应、布线层的腐蚀等从而能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式是一种半导体装置，其宗旨在于，具备：(a)布线层；(b)设置在布线层上的氮化钛层；(c)设置在氮化钛层上的氮氧化钛层；(d)设置在氮氧化钛层上的氧化钛层；以及(e)设置在氧化钛层上的表面保护膜，设置有贯通氮化钛层、氮氧化钛层、氧化钛层以及表面保护膜来使布线层的一部分露出的开口部，布线层的露出的一部分构成焊盘。