[发明专利]包含重布层的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其包括半导体材料；

重布层，其支撑在所述衬底上，所述重布层包括：

位于电介质材料的与所述衬底相对的侧上的导电材料；及

通孔，其从所述导电材料通过所述电介质材料朝向所述衬底延伸；

其中所述导电材料的第一区包括靠近第一组所述通孔的第一宽度及靠近第二组横向邻近的所述通孔的第二较大宽度，如在至少基本上垂直于形成所述第一组所述通孔与所述第二组所述通孔之间最短距离的线的方向上测量；且

其中所述导电材料的第二区包括靠近所述第一组所述通孔的第三宽度及靠近所述第二组所述通孔的第四较小宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区的所述第一宽度至少基本上等于所述第二区的所述第四宽度，且所述第一区的所述第二宽度至少基本上等于所述第二区的所述第三宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区包括第一中间区段，所述第一中间区段具有在所述第一宽度与所述第二宽度之间的第五宽度，并且靠近所述第一组所述通孔与所述第二组所述通孔之间的中点定位，且所述第二区包括第二中间区段，所述第二中间区段具有在所述第三宽度与所述第四宽度之间的第六宽度，并且靠近所述第一组所述通孔与所述第二组所述通孔之间的中点定位。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一区的宽度从所述第一宽度逐渐增加到所述第五宽度，并且从所述第五宽度逐渐增加到所述第二宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二区的宽度从所述第三宽度逐渐减小到所述第六宽度，并且从所述第六宽度逐渐减小到所述第四宽度。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一区的所述第一中间区段的所述第五宽度至少基本上等于所述第二区的所述第二中间区段的所述第六宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区及所述第二区距所述衬底的距离大于距所述重布层的除所述通孔及任何接合垫之外的任何电路由部件的距离。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中当与恒定宽度的另一第一区相比较时，所述第一区的形状靠近所述第二组所述通孔将所述第一区的电阻降低达至少10％，并且在与恒定宽度的另一第二区比较时，所述第二区的形状靠近所述第一组所述通孔将所述第二区的电阻降低达至少10％。

9.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述衬底包括电力供应电路、接入通过电路及横向靠近所述通孔定位的缓冲电路中的至少一者。

10.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述衬底包括横向远离所述通孔定位的逻辑电路及补偿电容中的至少一者。

11.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述第一及第二区的最大宽度比在所述重布层中更接近所述衬底的部分中的导电材料的任何其它区的最大宽度大至少约10倍。

12.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述第一区的形状，如在至少基本上垂直于所述衬底的作用表面的方向上观察是矩形，其具有从所述矩形朝向所述第一组所述通孔延伸的第一直角三角形及从所述矩形沿所述第二组所述通孔延伸的第二直角三角形，所述第一直角三角形及所述第二直角三角形的斜边至少大体上彼此平行延伸。

13.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述第一组通孔的第一子组连接到所述第一区，且所述第一组通孔的第二子组连接到所述第二区，所述第一子组的所述通孔沿所述第一组通孔以交替模式直接邻近于所述第二子组的所述通孔。