[发明专利]包含重布层的半导体装置

说明书

半导体装置可包含衬底及重布层。所述重布层可包含电介质材料及导电材料。通孔可延伸通过所述电介质材料。所述导电材料的第一区可从一行的第一横向侧连接到所述行中的通孔的第一子组，所述第一区占据所述行在所述第一横向侧上的宽度的一半以上。所述导电材料的第二区可从所述行的第二相对横向侧连接到所述行中的通孔的第二子组，所述第二区占据所述行在所述第二横向侧上的所述宽度的一半以上。

优先权主张

本申请案主张在2019年4月3日申请的针对“包含重布层的半导体装置(Semiconductor Devices Including Redistribution Layers)”的序列号为16/374,418号美国临时专利申请案的申请日期的权益。

技术领域

本公开大体上涉及用于半导体装置的重布层的路由技术。更具体来说，所公开的实施例涉及用于重布层的导电区的配置，其可降低重布层的电阻并改进跨越半导体装置的区域的信号及电压一致性并增强半导体装置的性能。

发明内容

在一些实施例中，半导体装置可包含包括半导体材料的衬底及支撑在所述衬底上的重布层。所述重布层可包含位于电介质材料的与所述衬底相对的侧上的导电材料。通孔可从所述导电材料通过所述电介质材料朝向所述衬底延伸。所述导电材料的第一区可包含靠近第一组所述通孔的第一宽度及靠近第二组横向邻近的所述通孔的第二较大宽度，如在至少基本上垂直于形成所述第一组所述通孔与所述第二组所述通孔之间最短距离的线的方向上测量。所述导电材料的第二区可包含靠近所述第一组所述通孔的第三宽度及靠近所述第二组所述通孔的第四较小宽度。

在其它实施例中，半导体装置可包含包括半导体材料的衬底及支撑在所述衬底上的重布层。所述重布层可包含位于电介质材料的与所述衬底相对的侧上的导电材料。通孔可通过所述电介质材料朝向所述衬底延伸。所述导电材料的第一区可从一行的第一横向侧连接到所述通孔的所述行中的通孔的第一子组，所述第一区占据所述行在所述第一横向侧上的宽度的一半以上，如在平行于延伸通过或邻近于在所述行中的所有所述通孔的所述行的几何中心的方向上测量。所述导电材料的第二区可从所述行的第二相对横向侧连接到所述行中的通孔的第二子组，所述第二区占据所述行在第二横向侧上的宽度的一半以上。

附图说明

虽然本公开以特别指出并明确主张特定实施例的权利要求书作为结束，但当结合附图阅读时，可从以下描述更容易地确定本公开的范围内实施例的各种特征及优点，其中：

图1是包含重布层的半导体装置的横截面图；

图2是图1的重布层的一部分的俯视图；

图3是图2的重布层的部分的放大俯视图；

图4是图1的布线层的一部分的放大俯视图；

图5是图1的另一布线层的一部分的放大俯视图；

图6是图1的另一布线层的一部分的放大俯视图；

图7是图1的半导体装置的作用表面的放大俯视图；及

图8是重布层的部分的另一实施例的缩小俯视图。

具体实施方式

本公开中呈现的说明并不意在是任何特定半导体装置或其组件的实际视图，而仅仅是用于描述说明性实施例的理想化表示。因此，图式不一定按比例绘制。

所公开实施例大体上涉及用于重布层的导电区的配置，其可降低重布层的电阻并改进跨越半导体装置的区域的信号及电压一致性。更具体来说，所公开的是用于重布层的导电区的形状、大小及位置的实施例，所述导电区可操纵宽度及宽度的改变并且可从不同横向方向连接到重布层的部分的通孔。