[发明专利]双钙钛矿

权利要求书

1.一种包括化合物的光电材料，其中，所述化合物包括：

(i)一种或多种阳离子，A；

(ii)一种或多种第一B阳离子，Bⁿ⁺；

(iii)一种或多种第二B阳离子，B^m+；和

(iv)一种或多种硫族阴离子，X；

其中，所述一种或多种第一B阳离子Bⁿ⁺不同于所述一种或多种第二B阳离子B^m+；n表示所述第一B阳离子的氧化态，且为包括端值在内的1～7的正整数；m表示所述第二B阳离子的氧化态，且为包括端值在内的1～7的正整数；且n+m等于8。

2.根据权利要求1所述的光电材料，其中，所述光电材料是光伏材料或电致发光材料。

3.根据权利要求1或2所述的光电材料，其中，所述一种或多种第一阳离子Bⁿ⁺中的至少一种，或所述一种或多种第二阳离子B^m+中的至少一种具有电子构型Nd¹⁰(N+1)s⁰，其中，N为3～5的正整数，可选地，所述一种或多种第一阳离子Bⁿ⁺中的至少一种，和所述一种或多种第二阳离子B^m+中的至少一种具有电子构型Nd¹⁰(N+1)s⁰。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，n为1或2，m为6或7，可选地，n为1且m为7。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，所述化合物的带隙小于3.0eV或测量的光致发光峰小于3.0eV或光吸收的起点小于3.0eV，可选地，所述化合物的带隙为1.0eV～2.5eV。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，所述一种或多种第一阳离子Bⁿ⁺包括贵金属阳离子和/或碱金属阳离子，可选地，所述一种或多种第一阳离子Bⁿ⁺包括Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺、Cs⁺、Cu⁺、Ag⁺、Au⁺和Hg⁺中的一种或多种，优选地，所述一种或多种第一阳离子Bⁿ⁺包括Ag⁺。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，所述一种或多种第二阳离子B^m+包括一种或多种+7氧化态的卤素阳离子，优选地，所述一种或多种第二阳离子B^m+包括I⁷⁺。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，所述一种或多种第一阳离子Bⁿ⁺包括Ag⁺，并且所述一种或多种第二阳离子B^m+包括I⁷⁺。

9.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，所述一种或多种阳离子A包括一种或多种二价阳离子。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光电材料，其中，所述一种或多种阳离子A包括一种或多种无机二价阳离子，可选地，所述一种或多种无机二价阳离子选自Ba²⁺、Sr²⁺、Ca²⁺、Mg²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺和Mn²⁺。