[发明专利]非金属表面上的选择性沉积

权利要求书

1.一种形成阻止层的方法，所述方法包含：将包含金属材料及非金属材料的基板暴露于不饱和烃，所述金属材料具有第一表面且所述非金属材料具有第二表面，以相对于所述第二表面将阻止层选择性地形成于所述第一表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述不饱和烃包含至少一种化合物，所述至少一种化合物的通式为R’≡R”。

3.如权利要求2所述的方法，其中R’和R”相同。

4.如权利要求2所述的方法，其中R’和R”为独立的C₂至C₆基团。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一种化合物包含4至12个碳原子。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一种化合物仅含有一个不饱和键。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述不饱和烃包含3-己炔。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属材料包含以下一或多者：铜、钴、钨、钼或钌。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述非金属材料包含氧化硅。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包含：相对于受阻止的所述第一表面将膜选择性地沉积于所述第二表面上。

11.如权利要求10所述的方法，其中通过将所述基板依序暴露于金属前驱物及反应物来沉积所述膜。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述金属前驱物包含五(二甲基氨基)钽，所述反应物包含氨，且所述膜包含氮化钽。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包含：将所述基板暴露于等离子体，以去除所述阻止层。

14.一种形成低电阻金属过孔的方法，所述方法包含：

提供具有基板表面的基板，至少一个特征形成于所述基板表面中，所述至少一个特征具有侧壁及底部，所述侧壁包含非金属材料表面，所述底部包含金属材料表面；

将所述基板暴露于不饱和烃，以相对于所述非金属材料表面将阻止层选择性地形成于所述金属材料表面上；

将所述基板依序暴露于金属前驱物及反应物，以相对于所述金属材料表面上的所述阻止层将膜形成于所述非金属材料表面上；

有选择地从所述金属材料表面去除所述阻止层；以及

将导电填充材料沉积于所述至少一个特征内，以形成低电阻金属过孔。

15.如权利要求17所述的方法，其中所述不饱和烃包含3-己炔。