[发明专利]量子噪声功率装置

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

电气装置；以及

零点能量密度降低结构，其邻接所述电气装置，所述零点能量密度降低结构向或从所述电气装置驱动能量流。

2.根据权利要求1所述的装置，其中与不邻接所述零点能量密度降低结构并且与所述电气装置电连通的第二电气装置中的零点能量密度相比，所述零点能量密度降低结构使所述电气装置中的零点能量密度降低。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述零点能量密度降低结构包括卡西米尔腔，所述卡西米尔腔邻接所述电气装置。

4.根据权利要求3所述的装置，其中即使在不存在外部照明源时也发生所述能量流。

5.根据权利要求3所述的装置，其进一步包括：

第二卡西米尔腔，所述第二卡西米尔腔邻接所述电气装置，其中所述电气装置定位在所述卡西米尔腔与所述第二卡西米尔腔之间。

6.根据权利要求3所述的装置，其中所述电气装置包括电阻器。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述电阻器包括传导层，所述传导层与所述卡西米尔腔相邻或包括所述卡西米尔腔的部件。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述传导层包括多层结构，所述多层结构包括一个或多个传导子层。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述传导层包括金属。

10.根据权利要求7所述的装置，其中所述传导层包括半导体。

11.根据权利要求7所述的装置，其中所述传导层包括二维传导材料。

12.根据权利要求7所述的装置，其中所述传导层包括导电陶瓷。

13.根据权利要求3所述的装置，其中所述电气装置包括整流器。

14.根据权利要求3所述的装置，其中所述电气装置包括二极管。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述二极管包括几何二极管。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述几何二极管包括石墨烯。

17.根据权利要求14所述的装置，其中所述二极管包括：

第一传导层，所述第一传导层与所述卡西米尔腔相邻或包括所述卡西米尔腔的部件；

电绝缘层，所述电绝缘层设置为与所述第一传导层相邻并与所述第一传导层接触；以及

第二传导层，所述第二传导层设置为与所述电绝缘层相邻并与所述电绝缘层接触。

18.根据权利要求14所述的装置，其中所述二极管包括：

传导层，所述传导层与所述卡西米尔腔相邻或包括所述卡西米尔腔的部件；以及

半导体层，所述半导体层设置为与所述传导层相邻并与所述传导层接触。

19.一种电路，所述电路包括：

根据权利要求3所述的装置；以及

第一天线，所述第一天线电连接在所述电气装置的电触点之间；

第二天线，所述第二天线光学地耦接到所述第一天线；以及

自由空间电气装置，其中所述第二天线电连接在所述自由空间电气装置的电触点之间。

20.根据权利要求19所述的电路，其进一步包括波导，所述波导光学地耦接所述第一天线和所述第二天线。