[发明专利]用于斜面蚀刻腔室的加热器支撑套件

说明书

本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括：加热器组件，所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板；卡环，所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上；加热器臂组件，所述加热器臂组件含有加热器臂并且支撑所述加热器组件；和加热器支撑板，所述加热器支撑板设置在所述加热器板与所述加热器臂之间并且与所述加热器板的所述下表面的至少一部分接触。

发明背景

技术领域

本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的方法和设备。更具体地，本文描述的实施例涉及用于斜面蚀刻腔室的加热器支撑套件。

相关技术的描述

等离子体处理常用于用于制造集成电路、平板显示器、磁性介质和其他器件的许多半导体制造工艺。等离子体或离子化气体在远程等离子体源(RPS)内产生并且流入处理腔室中，并且然后被施加到工件以完成工艺，诸如沉积、蚀刻或注入。处理一般通过将前驱物气体或气体混合物引入容纳基板的真空腔室中完成。在沉积或蚀刻工艺期间，部件(诸如掩模或喷头)可与基板相对地定位。腔室中的前驱物气体或气体混合物通过使用RPS被激励(例如，激发)成等离子体。所激发的气体或气体混合物进行反应，以在所述基板的边缘上选择性蚀刻膜层。

然而，基板的倾斜边缘(诸如其侧面和拐角)经历可能与在基板的其他部分处经历的状况不同的状况。这些不同状况影响处理参数，诸如膜厚度、蚀刻均匀性和/或膜应力。在基板的中心和边缘之间的蚀刻速率和/或膜性质(诸如膜厚度或应力)的差异变得显著，并且可能造成器件的性能欠佳。

因此，本领域中需要的是一种用于斜面蚀刻处理的改进的设备。

发明内容

本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括加热器组件、卡环、加热器臂组件和加热器支撑板。所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板。所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上。所述加热器臂组件含有加热器臂并且支撑所述加热器组件。所述加热器支撑板设置在所述加热器板与所述加热器臂之间，并且与所述加热器板的所述下表面的至少一部分接触。在其他实施例中，所述加热器支撑套件还包括设置在所述加热器支撑板下方的下支撑板和设置在所述下支撑板下方的中心插塞。

在一个或多个实施例中，一种用于斜面蚀刻处理的方法包括将基板放在处理腔室内部的基板支撑件上，所述基板具有沉积层，所述沉积层包括中心和斜面边缘。将掩模放在所述基板之上。将边缘环设置在所述基板周围和基板支撑件上。所述方法还包括：使工艺气体混合物流动以在所述斜面边缘附近进行蚀刻；和使净化气体在所述基板的顶部附近流过所述掩模的在所述基板的中心的第一孔、第二孔和第三孔。

在其他实施例中，一种方法包括将基板放在处理腔室内部的基板支撑件上，所述基板具有沉积层，所述沉积层包括中心和斜面边缘。将掩模放在所述基板之上。将边缘环设置在所述基板下方和基板支撑件上。所述方法还包括升高所述边缘环以接触所述掩模。所述方法还包括：使工艺气体混合物在所述斜面边缘附近流动；和使净化气体在所述基板的顶部附近流过所述掩模的在所述基板的中心的第一孔、第二孔和第三孔。

在一些实施例中，一种方法包括将基板放在处理腔室内部的基板支撑件上，所述基板具有沉积层，所述沉积层包括中心和斜面边缘。将掩模放在所述基板之上。将边缘环设置在所述基板周围和基板支撑件上。所述方法还包括：使工艺气体混合物在所述斜面边缘附近流动；和使净化气体在所述基板的顶部附近流过所述掩模的在所述基板的中心的第一孔、第二孔和第三孔。工艺气体包括氮(N₂)、氧(O₂)、三氟化氮(NF₃)、氩、氦、或它们的任何组合中的一种或多种。

附图说明